[发明专利]发光二极管封装和制造方法有效

专利信息
申请号: 201210057611.0 申请日: 2012-03-06
公开(公告)号: CN102683514B 公开(公告)日: 2017-07-14
发明(设计)人: M·马格利特 申请(专利权)人: 维亚甘有限公司
主分类号: H01L33/00 分类号: H01L33/00;H01L33/36;H01L33/50
代理公司: 北京嘉和天工知识产权代理事务所(普通合伙)11269 代理人: 严慎
地址: 以色列奇*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 公开了发光二极管(LED)器件和发光二极管器件的封装。在一些方面,使用包括多个层的垂直构造来制造LED。某些层用于提升器件的机械特性、电特性、热特性或光学特性。所述器件避免了一些设计问题,包括传统LED器件中存在的制造复杂、成本和散热问题。一些实施方案包括多个光学许可层,包括堆叠在半导体LED上方并且使用一个或更多个对准标记定位的光学许可覆盖衬底或晶片。
搜索关键词: 发光二极管 封装 制造 方法
【主权项】:
一种发光器件,所述发光器件包括:半导体LED,所述半导体LED包括掺杂区和本征区;导电载体层,所述导电载体层被设置成靠近所述半导体LED的第一表面并且通过金属性界面与所述半导体LED的所述第一表面分开,所述金属性界面跨所述导电载体层的第一表面的宽度和所述半导体LED的所述第一表面的宽度延伸;光学许可层,所述光学许可层靠近所述半导体LED的第二表面,所述半导体LED的所述第一表面和所述第二表面位于所述半导体LED的相对的面上;光学可限定材料,所述光学可限定材料靠近所述光学许可层或者位于所述光学许可层内,影响穿过所述光学许可层的发射光的光学特性;光学许可覆盖衬底,所述光学许可覆盖衬底覆盖所述半导体LED、所述导电载体层、所述光学许可层以及所述光学可限定材料中的至少一部分;金属焊盘,所述金属焊盘位于所述半导体LED和所述光学许可层之间,其中,所述半导体LED的所述第一表面、所述金属性界面和所述导电载体层均彼此电耦合;凹陷,所述凹陷限定在所述导电载体层中、所述金属性界面中和所述半导体LED中,以暴露所述金属焊盘的表面;钝化层,所述钝化层设置在所述凹陷中和所述金属焊盘的所述表面上,以使所述钝化层设置在所述金属焊盘的所述表面上;第一接触孔,所述第一接触孔限定在所述钝化层中,所述第一接触孔延伸通过所述钝化层至所述金属焊盘的所述表面;以及第二接触孔,所述第二接触孔限定在所述钝化层中,所述第二接触孔延伸通过所述钝化层至所述导电载体层的第二表面。
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