[发明专利]发光二极管封装和制造方法

权利要求书

1.一种发光器件，所述发光器件包括：

半导体LED，所述半导体LED包括掺杂区和本征区；

导电载体层，所述导电载体层被设置成靠近所述半导体LED的第一表面并且通过金属性界面与所述半导体LED的所述第一表面分开，所述金属性界面跨所述导电载体层的第一表面的宽度和所述半导体LED的所述第一表面的宽度延伸；

光学许可层，所述光学许可层靠近所述半导体LED的第二表面，所述半导体LED的所述第一表面和所述第二表面位于所述半导体LED的相对的面上；

光学可限定材料，所述光学可限定材料靠近所述光学许可层或者位于所述光学许可层内，影响穿过所述光学许可层的发射光的光学特性；

光学许可覆盖衬底，所述光学许可覆盖衬底覆盖所述半导体LED、所述导电载体层、所述光学许可层以及所述光学可限定材料中的至少一部分；

金属焊盘，所述金属焊盘位于所述半导体LED和所述光学许可层之间，

其中，所述半导体LED的所述第一表面、所述金属性界面和所述导电载体层均彼此电耦合；

凹陷，所述凹陷限定在所述导电载体层中、所述金属性界面中和所述半导体LED中，以暴露所述金属焊盘的表面；

钝化层，所述钝化层设置在所述凹陷中和所述金属焊盘的所述表面上，以使所述钝化层设置在所述金属焊盘的所述表面上；

第一接触孔，所述第一接触孔限定在所述钝化层中，所述第一接触孔延伸通过所述钝化层至所述金属焊盘的所述表面；以及

第二接触孔，所述第二接触孔限定在所述钝化层中，所述第二接触孔延伸通过所述钝化层至所述导电载体层的第二表面。

2.根据权利要求1所述的发光器件，还包括覆盖所述光学透射性覆盖衬底的至少一部分的透镜。

3.根据权利要求1所述的发光器件，还包括金属晶种层，所述金属晶种层施用于所述钝化层上方和所述第一接触孔中。

4.根据权利要求3所述的发光器件，还包括形成于所述金属晶种层的孔，以暴露所述金属焊盘的一部分。

5.根据权利要求1所述的发光器件，所述钝化层还包括成形边缘，所述成形边缘被构造用于将所述发光器件产生的光从所述成形边缘向外反射。

6.根据权利要求1所述的发光器件，还包括机械偏置构件，所述机械偏置构件提供所述光学许可层和所述半导体LED层之间的空间间隔。

7.根据权利要求1所述的发光器件，还包括至少一个对准标记，所述至少一个对准标记指示在包括所述光学许可覆盖的一加工衬底中所述器件相对于所述光学许可覆盖的所要求位置。

8.一种制造发光器件的方法，所述方法包括：

在衬底上的发光器件LED中，生长多个掺杂层；

将金属性界面沉积到与所述衬底相对的所述LED上；

将导电载体层电镀到所述金属性界面上；

从所述LED剥离所述衬底；

在新暴露的LED表面上形成金属焊盘；

刻蚀通过所述导电载体层、所述金属性界面和所述LED的凹陷，以允许与所述金属焊盘并且因此与所述LED的第一掺杂层电接触；

提供与所述导电载体层并且因此与所述LED的第二掺杂层的电接触，以使用在所述LED的所述第一掺杂层和所述第二掺杂层之间施加的偏置电压来偏置所述LED；以及

使用光学许可层将所述LED固定于光学许可覆盖衬底，所述光学许可层包括使所述LED产生的光能够穿过的光学可限定材料。

9.根据权利要求8所述的方法，还包括将电绝缘钝化层施用于所述导电载体层，并且进一步在所述钝化层中提供至少一对孔，以便对应的成对偏置电极与对应的所述LED的所述第一掺杂层和所述第二掺杂层的电耦合。

10.根据权利要求9所述的方法，还包括在所述LED上放置一个或更多个对准标记，以使所述LED能相对于所述光学许可覆盖衬底正确定位。