[发明专利]辐射成像装置及其制造方法无效
| 申请号： | 201210056210.3 | 申请日： | 2012-03-01 |
| 公开（公告）号： | CN102683364A | 公开（公告）日： | 2012-09-19 |
| 发明（设计）人： | 草山育实;横泽信幸;川西光宏;五十岚崇裕 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;A61B6/00 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人： | 王安武 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及辐射成像装置及其制造方法，提供了一种辐射成像装置，其包括：传感器基板，其具有包括光电转换元件的像素部分；闪烁体层，其设置传感器基板的像素部分上；以及密封层，其中利用该密封层密封闪烁体层的至少一部分，其中密封层包括远离闪烁体层、布置在传感器基板上的第一壁部，以及设置在闪烁体层与第一壁部之间的防潮层。 | ||
| 搜索关键词： | 辐射 成像 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种辐射成像装置，其包括：传感器基板，其具有包括光电转换元件的像素部分；闪烁体层，其设置所述传感器基板的所述像素部分上；以及密封层，利用所述密封层密封所述闪烁体层的至少一部分，其中所述密封层包括第一壁部，其远离所述闪烁体层、布置在所述传感器基板上，以及防潮层，其设置在所述闪烁体层与所述第一壁部之间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
