[发明专利]辐射成像装置及其制造方法

说明书

技术领域

本公开涉及适合用于医疗或无损检测的X射线摄影的辐射成像装置及其制造方法。

背景技术

近年来，随着用于液晶显示设备的薄膜晶体管(TFT)技术的进步，已经开发了实现大面积和数字化的各种平板探测器(FPD)，并且各种平板探测器用于医疗图像分析、工业无损检测等。

FPD能够基于放射线(诸如X射线、α射线、β射线、电子射线、紫外线等)获取电信号形式的图像。因此，所拍摄的图像可被视为数字信息，并且例如所拍摄图像的存储、处理、传输等很容易。FPD包括两个系统：(1)用于直接将放射线转换为电信号的直接转换系统；以及(2)用于在放射线已经被暂时转换为可见光之后读取电信号形式的可见光的间接转换系统。

特别地，使用间接转换系统的FPD在包括光电转换元件的基板上具有用于吸收放射线和发出可见光的荧光体(闪烁体(scintillator))。一些闪烁体各个具有潮解性质，并且容易由于湿气的存在而退化。为此，在利用间接转换系统的FPD中，为了防止闪烁体的退化而实施各种设备。例如，在日本专利No.3077941和JP-T-2002-518686(下文称为专利文件1和2)中公开了这样的技术。

例如，专利文件1提出了使用由聚对二甲苯(parylene C)制成的保护膜覆盖闪烁体的表面的技术。利用这样的保护膜可以保护闪烁体免受湿气侵害。

发明内容

然而，利用在专利文件1中公开的技术，上述保护膜需要通过使用化学气相沉积(CVD)方法来沉积。为此，需要使用真空工艺，因此沉积工艺并不简单。然后，专利文件2提出了通过使用由粘合剂制成的密封层将金属板粘贴到闪烁体上，从而使用金属板将闪烁体密封。以这样的技术，闪烁体的周围(边部)利用由树脂材料制成的密封层密封。

然而，利用专利文件2公开的技术，由于密封层通过利用涂覆方法形成，密封层的宽高比取决于所使用的材料的性质(例如，触变性或粘性)。为此，特别地，当闪烁体的厚度较大时，需要在闪烁体的外周确保用于密封层的较大的安装空间(涂层宽度)。然而，当在基板上布局存在限制时，可能不能充分地确保用于密封层的安装空间，从而对闪烁体的密封不充分。为此，特别地，当闪烁体的厚度较大时，需要使用具有较高触变性或粘性的材料作为密封材料，因此可使用的材料受到限制。因此，期望实现能够不依赖于密封材料和基板上的布局而密封闪烁体的技术。

为了解决上述问题而已经提出了本公开，因此期望提供其中能够提高在用来密封闪烁体层的周围的密封层中材料选择和设计的自由度的辐射成像装置以及其制造方法。

为了实现上述期望，根据本公开的实施例，提供了一种辐射成像装置，其包括：传感器基板，其具有包括光电转换元件的像素部分；闪烁体层，其设置传感器基板的像素部分上；以及密封层，其中利用该密封层密封闪烁体层的至少一部分。密封层包括第一壁部，其远离闪烁体层、布置在传感器基板上；以及防潮层，其设置在闪烁体层与第一壁部之间。

根据本公开的实施例的辐射成像装置具有第一壁部和防潮层，其中第一壁部远离闪烁体层布置，并且防潮层作为用来在传感器基板上的像素部分的周围区域中密封闪烁体层的密封层、设置在第一壁部与闪烁体层之间。因此，防潮层(密封层)的形状(厚度和宽度)根据第一壁部的高度和沉积位置来控制。

根据本公开的另一个实施例，提供了一种制造辐射成像装置的方法，所述方法包括以下步骤：在具有像素部分的传感器基板的像素部分上形成闪烁体层，其中像素部分包括光电转换元件；以及在传感器基板上的像素部分的周围区域中形成密封层。在形成密封层时，在于周围区域中形成第一壁部之后，在第一壁部的像素部分侧的区域中形成防潮层。

在根据本公开的另一个实施例的制造辐射成像装置的方法中，为了在传感器基板上的像素部分的周围区域中形成用来密封闪烁体层的密封层，在远离闪烁体层形成第一壁部之后，在第一壁部与闪烁体层之间形成防潮层。适当地设置第一壁部的高度和沉积位置两者，从而控制防潮层(密封层)的形状(厚度和宽度)。

如这里之前所述，根据本公开，第一壁部设置成远离闪烁体层，并且防潮层作为在传感器基板上的像素部分的周围区域中密封闪烁体层的密封层、设置在第一壁部与闪烁体层之间。因此，能够根据第一壁部的高度等设计防潮层(密封层)的形状。也就是说，可以不管在防潮层中使用的材料、以期望的高宽比来形成密封层。因此，可以提高在用来密封闪烁体层周围的密封层中材料选择和设计的自由度。

附图说明