[发明专利]薄膜晶体管及其制作方法无效
| 申请号： | 201210053150.X | 申请日： | 2012-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN102569417A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 张锡明 | 申请（专利权）人： | 福州华映视讯有限公司;中华映管股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/34 |
| 代理公司： | 福州元创专利商标代理有限公司 35100 | 代理人： | 蔡学俊 |
| 地址： | 350015 福建*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种薄膜晶体管及其制作方法，该薄膜晶体管包括一基板、一闸极、一闸极绝缘层、一氧化物半导体层、一保护层、一源极以及一汲极。闸极、闸极绝缘层以及氧化物半导体层依序设置于基板上。保护层设置于氧化物半导体层上，且保护层的侧边与氧化物半导体层的侧边切齐。源极与汲极设置于保护层上方。该薄膜晶体管的制作方法的步骤为：提供一基板，且形成一闸极于基板上。接着，形成一闸极绝缘层于闸极上，且形成一氧化物半导体层全面性覆盖闸极绝缘层。随后，形成一保护层全面性覆盖氧化物半导体层。图案化保护层以及氧化物半导体层，使保护层的侧边与氧化物半导体层的侧边切齐。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：一基板；一闸极，设置于该基板上；一闸极绝缘层，设置于该闸极上；一氧化物半导体层，设置于该闸极绝缘层上；一保护层，包括一第一保护层与一第二保护层依序设置于该氧化物半导体层上，且该保护层的侧边与该氧化物半导体层的侧边切齐；以及一源极与一汲极，设置于该保护层上方。
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