[发明专利]一种发光二极管及其制造方法在审
| 申请号： | 201210052193.6 | 申请日： | 2012-03-01 |
| 公开（公告）号： | CN103296169A | 公开（公告）日： | 2013-09-11 |
| 发明（设计）人： | 张楠;朱广敏;郝茂盛 | 申请（专利权）人： | 上海蓝光科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/22 | 分类号： | H01L33/22;H01L33/36 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种发光二极管及其制造方法，通过在半导体衬底上生长发光外延结构并将所述发光外延结构利用光刻图形刻蚀成由多个凹槽隔成的三角形或/及菱形发光外延单元阵列，然后对凹槽进行绝缘处理、制作透明导电层、制作P、N电极并对各该发光外延单元进行桥接以完成所述发光二极管的制造。采用本发明制造方法的发光二极管有利于光线从发光二极管内射出，能降低芯片对光线的全反射及吸收，大大的提高了芯片的出光率。本发明工艺简单，兼容于一般的发光二极管制造工艺，适用于工业生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种发光二极管的制造方法，其特征在于，至少包括以下步骤：1)提供一半导体衬底，在所述半导体衬底上形成至少包括N‑GaN层、量子阱层、P‑GaN层以及透明导电层的发光外延结构；2)按所需图形在所述发光外延结构中刻蚀出多个直至所述半导体衬底的凹槽，藉由所述多个凹槽将所述发光外延结构隔成多个相互独立的三角形或/及菱形的发光外延单元，并在每个发光外延单元中刻蚀出N电极的制备区域，然后对各该凹槽进行绝缘处理；3)在各该发光外延单元的透明导电层上制备P电极，并在各该N电极的制备区域制备N电极，最后通过对所述各发光外延单元进行桥接以完成所述发光二极管的制备。
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