[发明专利]一种发光二极管及其制造方法

权利要求书

1.一种发光二极管的制造方法，其特征在于，至少包括以下步骤：

1)提供一半导体衬底，在所述半导体衬底上形成至少包括N-GaN层、量子阱层、P-GaN层以及透明导电层的发光外延结构；

2)按所需图形在所述发光外延结构中刻蚀出多个直至所述半导体衬底的凹槽，藉由所述多个凹槽将所述发光外延结构隔成多个相互独立的三角形或/及菱形的发光外延单元，并在每个发光外延单元中刻蚀出N电极的制备区域，然后对各该凹槽进行绝缘处理；

3)在各该发光外延单元的透明导电层上制备P电极，并在各该N电极的制备区域制备N电极，最后通过对所述各发光外延单元进行桥接以完成所述发光二极管的制备。

2.根据权利要求1所述的发光二极管的制造方法，其特征在于：所述步骤2)中采用光刻技术及掩膜技术制备出三角形或/及菱形阵列的光刻图形，然后采用化学腐蚀法对所述发光外延结构进行刻蚀以形成所述多个凹槽。

3.根据权利要求1所述的发光二极管的制造方法，其特征在于：所述绝缘处理为对各该凹槽填充绝缘材料。

4.根据权利要求1所述的发光二极管的制造方法，其特征在于：所述三角形发光外延单元为三棱柱结构，且其上下表面均为正三角形。

5.根据权利要求1所述的发光二极管的制造方法，其特征在于：所述菱形发光外延单元为四棱柱结构，且其上下表面均为至少一顶角的角度为30度～75度的菱形。

6.一种发光二极管，其特征在于，至少包括：

发光外延阵列，包括藉由多个绝缘凹槽隔成的多个相互独立的三角形或/及菱形的发光外延单元、以及多个N电极制备区域；

透明导电层，结合于各该发光外延单元表面；

P电极及N电极，分别位于各该发光外延单元的透明导电层表面及N电极制备区域的表面；

桥接线，连接于相邻两发光外延单元的P电极与N电极。

7.根据权利要求6所述的发光二极管，其特征在于：所述三角形发光外延单元为三棱柱结构，且其上下表面均为正三角形。

8.根据权利要求6所述的发光二极管，其特征在于：所述菱形发光外延单元为四棱柱结构，且其上下表面均为至少一顶角的角度为30度～75度的菱形。

9.根据权利要求6所述的发光二极管，其特征在于：所述绝缘凹槽填充有绝缘材料。