[发明专利]具超低介电常数层间介电质的双大马士革结构的形成方法

摘要

本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种具有超低介电常数层间介电质的铜双大马士革结构的形成方法。本发明一种具有超低介电常数层间介电质的铜双大马士革结构的形成方法，通过先利用传统工艺形成中层间介电质层为低介电常数薄膜的铜双大马士革结构，然后再利用干法蚀刻工艺选择性的将铜线间的介电质薄膜去除，随后用超低介电常数薄膜对其进行填充，并进行紫外光照射以降低介电常数薄膜，使得采用本发明方法所制备的铜双大马士革结构，其层间介电质不会受到后续干法蚀刻工艺的影响而产生介电常数升高的现象，不仅能与传统工艺具有较高的兼容性，且其层间介电质的力学性能要好，便于工艺整合。

主权项

一种具有超低介电常数层间介电质的铜双大马士革结构的形成方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S1：在一硅衬底上依次淀积介电阻挡层、低介电常数层间介电质层和绝缘层，旋涂光刻胶覆盖所述绝缘层的上表面，曝光显影后进行通孔刻蚀工艺，以形成通孔；步骤S2：再次旋涂光刻胶充满通孔及覆盖剩余绝缘层的上表面，曝光显影后进行沟槽刻蚀工艺，以形成沟槽；步骤S3：电镀铜充满沟槽及覆盖再次刻蚀后剩余绝缘层的上表面，进行平坦化工艺，形成低介电常数层间介电质的铜双大马士革结构；步骤S4：旋涂光刻胶覆盖剩余铜和再次刻蚀后剩余绝缘层的上表面，曝光显影后进行薄膜沟槽刻蚀工艺，形成超低介电常数薄膜沟槽；步骤S5：沉积超低介电常数介电质层充满所述薄膜沟槽并覆盖剩余铜和第三次刻蚀后剩余绝缘层的上表面，采用紫外线对所述超低介电常数介电质层进行照射后，继续平坦化工艺，形成超低介电常数层间介电质的铜双大马士革结构。