[发明专利]FinFET器件制造方法

摘要

本发明提供一种FinFET器件制造方法，通过在衬底上方外延硅层形成源漏极、沟道区以及围绕沟道区两侧和上方的虚拟栅极结构，接着形成介质层并去除虚拟栅极结构以及沟道区以形成开口，在开口中形成应变硅沟道后回刻蚀应变硅沟道上方两侧的介质层，以使得后续形成的栅极结构与LDD源极区及LDD漏极区有重叠(overlap)，省去了通过高温热处理工艺使源漏极离子扩散到应变硅沟道区形成LDD重叠的步骤，从而在保持鳍形沟道原有的宽长比以及尺寸的同时，不会使得源漏极的结深更深，提高了FinFET器件的驱动电流。

主权项

一种FinFET器件制造方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成外延硅层；图案化所述外延硅层，形成FinFET基体，所述FinFET基体包括源极和漏极、LDD源极区和LDD漏极区以及位于所述源极和漏极之间的沟道区；形成围绕在所述沟道区两侧和上方的多晶硅虚拟栅极结构；在所述半导体衬底与FinFET基体上方沉积介质层，并化学机械平坦化至多晶硅虚拟栅极结构顶部；以所述介质层为掩膜，移除所述多晶硅虚拟栅极结构及其下方的预定义厚度的外延硅层以形成一开口；在所述开口中形成应变硅沟道；回刻蚀所述开口两侧的介质层以暴露出其底部两侧的部分LDD源极区、LDD漏极区，形成所述LDD源极区重叠和LDD漏极区重叠；以及在所述开口处形成围绕在所述应变硅沟道、LDD源极区重叠、LDD漏极区重叠的两侧和上方的栅极结构。