[发明专利]成膜方法及成膜装置有效
申请号: | 201210045124.2 | 申请日: | 2012-02-24 |
公开(公告)号: | CN102677021A | 公开(公告)日: | 2012-09-19 |
发明(设计)人: | 铃木启介;周保华;张德清 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455;H01L21/203 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;张会华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供成膜方法和成膜装置。该成膜方法通过向基板交替供给至少第1原料气体和第2原料气体而在基板上堆积由第1原料气体和第2原料气体的反应产生的反应生成物质的薄膜。该方法包括:不向用于收容基板的处理容器内供给气体而对处理容器内进行真空排气的步骤;向处理容器内供给非活性气体直到处理容器内成为规定压力的步骤;在处理容器内的真空排气停止的状态下向以规定压力充满了非活性气体的处理容器内供给第1原料气体的步骤;停止供给第1原料气体并且对处理容器内进行真空排气的步骤;向处理容器内供给第2原料气体的步骤;停止供给第2原料气体并且对处理容器内进行真空排气的步骤。 | ||
搜索关键词: | 方法 装置 | ||
【主权项】:
一种成膜方法,其通过向基板交替供给至少第1原料气体和第2原料气体而在上述基板上堆积由上述第1原料气体和上述第2原料气体的反应产生的反应生成物质的薄膜,该成膜方法包括:不向用于收容上述基板的处理容器内供给气体而对上述处理容器内进行真空排气的步骤;向上述处理容器内供给非活性气体直到上述处理容器内成为规定压力的步骤;在上述处理容器内的真空排气停止的状态下向以上述规定压力充满了上述非活性气体的上述处理容器内供给上述第1原料气体的步骤;停止供给上述第1原料气体并且对上述处理容器内进行真空排气的步骤;向上述处理容器内供给上述第2原料气体的步骤;停止供给上述第2原料气体并且对上述处理容器内进行真空排气的步骤。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
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