[发明专利]制造半导体器件的方法及半导体器件无效
| 申请号： | 201210044405.6 | 申请日： | 2012-02-23 |
| 公开（公告）号： | CN102651315A | 公开（公告）日： | 2012-08-29 |
| 发明（设计）人： | 镰田阳一 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01L21/335;H01L29/06;H01L29/778;H02M5/458;H03F1/32 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 蔡胜有;吴鹏章 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种制造半导体器件的方法以及半导体器件，所述制造半导体器件的方法包括：在衬底上形成半导体层；通过用包含氟组分的气体进行干法蚀刻在半导体层中形成凹部，所述凹部在半导体层的表面上具有开口部；通过加热半导体层从而使附着至凹部的侧表面和底表面的氟组分扩散到半导体层中来形成含氟区域；在凹部的内表面上以及半导体层上形成绝缘膜；以及在绝缘膜上的形成有凹部的区域中形成电极。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
一种制造半导体器件的方法，包括：在衬底上形成半导体层；通过用包含氟组分的气体进行干法蚀刻而在所述半导体层中形成凹部，所述凹部在所述半导体层的表面上具有开口部；通过加热所述半导体层并且由此使附着至所述凹部的侧表面和底表面的所述氟组分扩散到所述半导体层中来形成含氟区域；在所述凹部的内表面上以及所述半导体层上形成绝缘膜；以及在所述绝缘膜上的形成所述凹部的区域中形成电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
