[发明专利]制造半导体器件的方法及半导体器件

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，包括：

在衬底上形成半导体层；

通过用包含氟组分的气体进行干法蚀刻而在所述半导体层中形成凹部，所述凹部在所述半导体层的表面上具有开口部；

通过加热所述半导体层并且由此使附着至所述凹部的侧表面和底表面的所述氟组分扩散到所述半导体层中来形成含氟区域；

在所述凹部的内表面上以及所述半导体层上形成绝缘膜；以及

在所述绝缘膜上的形成所述凹部的区域中形成电极。

2.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，其中

所述半导体层包含氮化物半导体。

3.根据权利要求1或2所述的制造半导体器件的方法，其中

所述形成凹部包括：

在所述半导体层上形成抗蚀剂图案以在形成所述凹部的区域中具有开口；以及

通过干法蚀刻移除所述半导体层的一部分，所述部分与所述抗蚀剂图案的所述开口对应。

4.根据权利要求3所述的制造半导体器件的方法，其中

所述形成凹部还包括：在所述移除所述半导体层的一部分之后，移除所述抗蚀剂图案。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的制造半导体器件的方法，其中所述干法蚀刻包括反应性离子蚀刻(RIE)。

6.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，其中

所述形成含氟区域通过将所述半导体层加热至等于或者高于300℃的温度来进行。

7.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，其中

所述形成含氟区域包括第一热处理和第二热处理，

所述第一热处理包括在等于或者高于500℃的温度下加热所述半导体层，以及

所述第二热处理包括在低于500℃的温度下加热所述半导体层。

8.根据权利要求7所述的制造半导体器件的方法，其中

所述形成含氟区域还包括在所述第一热处理与所述第二热处理之间的第三热处理，以及

所述第三热处理包括加热的同时在预定的时间内使温度从所述第一热处理中的温度降低至所述第二热处理中的温度。

9.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，其中

所述形成含氟区域通过向所述半导体层辐射包括红外光的电磁波来进行。

10.根据权利要求9所述的制造半导体器件的方法，其中

所述包括红外光的电磁波被辐射到其上形成所述凹部的表面。

11.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，其中

所述形成半导体层包括：

在所述衬底上形成第一半导体层；以及

在所述第一半导体层上形成第二半导体层，以及

所述含氟区域形成在所述第二半导体层的一部分中，所述部分与所述凹部的底表面对应。

12.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，其中

所述形成半导体层包括：

在所述衬底上形成第一半导体层；

在所述第一半导体层上形成第三半导体层；以及

在所述第三半导体层上形成第二半导体层，以及

所述含氟区域形成在所述第二半导体层和所述第三半导体层中之一的一部分中，所述部分与所述凹部的底表面对应。

13.根据权利要求11所述的制造半导体器件的方法，其中

所述形成半导体层还包括在所述第二半导体层上形成第四半导体层；以及

所述在所述半导体层中形成凹部还包括通过在所述开口部处移除所述第四半导体层来形成所述凹部。

14.根据权利要求11所述的制造半导体器件的方法，所述方法还包括：

形成与所述第一半导体层和所述第二半导体层中之一接触的HEMT或者MIS晶体管的源电极和漏电极，所述形成源电极和漏电极在所述形成电极之后进行，其中所述电极包括在所述凹部上方的所述HEMT或者所述MIS晶体管的栅电极。