[发明专利]半导体装置及其操作方法无效
| 申请号： | 201210041464.8 | 申请日： | 2012-02-21 |
| 公开（公告）号： | CN102682849A | 公开（公告）日： | 2012-09-19 |
| 发明（设计）人： | 兼松成;柳泽佑辉;岩崎松夫 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | G11C17/16 | 分类号： | G11C17/16;G11C17/18 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人： | 褚海英;武玉琴 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体装置以及这种半导体装置的操作方法，所述操作方法包括：设置一个以上存储元件，每个所述存储元件包括第一半导体层、第二半导体层和第三半导体层、介电膜和导电膜、第一电极、第二电极以及第三电极；并且对一个以上存储元件中的待驱动的存储元件进行信息写入操作。通过在第二电极和第三电极之间施加等于或大于预定阈值的电压，使介电膜的至少一部分发生介质击穿而使电流在导电膜和第三半导体层间流过，从而在第二半导体层和第三半导体层之间的区域中形成作为将这些半导体层电连接的导电通路的丝，从而进行所述写入操作。本发明可减小所述半导体装置的面积。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 操作方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置的操作方法，所述方法包括：设置一个以上存储元件，每个所述存储元件包括第一导电型的第一半导体层、在所述第一半导体层中彼此隔离地布置的第二导电型的第二半导体层和第三半导体层、在所述第一半导体层上的对应于所述第二半导体层和所述第三半导体层之间的部分的区域中设置的下层侧的介电膜和上层侧的导电膜、与所述第二半导体层电连接的第一电极、与所述第三半导体层电连接的第二电极以及与所述导电膜电连接的第三电极；并且对所述一个以上存储元件中的待驱动的存储元件进行信息写入操作，其中，通过在所述第二电极和所述第三电极之间施加等于或大于预定阈值的电压，使所述介电膜的至少一部分发生介质击穿而使电流在所述导电膜和所述第三半导体层间流过，从而在所述第二半导体层和所述第三半导体层之间的区域中形成作为将所述第二半导体层和所述第三半导体层电连接的导电通路的丝，从而进行所述信息写入操作。
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