[发明专利]常关半导体开关和常关JFET有效
| 申请号： | 201210040508.5 | 申请日： | 2012-02-22 |
| 公开（公告）号： | CN102646720A | 公开（公告）日： | 2012-08-22 |
| 发明（设计）人： | W.韦尔纳 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技奥地利有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/808 | 分类号： | H01L29/808;H01L29/06 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 曲宝壮;卢江 |
| 地址： | 奥地利*** | 国省代码： | 奥地利;AT |
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| 摘要： | 提供一种常关半导体开关和常关JFET。该常关JFET包括第一导电类型的沟道区域、邻接沟道区域的第二导电类型的浮置半导体区域以及邻接浮置半导体区域的第一导电类型的接触区域。该浮置半导体区域布置在接触区域和沟道区域之间。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 开关 jfet | ||
【主权项】：
一种常关JFET，包括：第一导电类型的沟道区域；邻接沟道区域的第二导电类型的浮置半导体区域；邻接浮置半导体区域的第一导电类型的接触区域；其中浮置半导体区域布置在接触区域和沟道区域之间。
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