[发明专利]半导体背散射电子探测器无效
申请号: | 201210039367.5 | 申请日: | 2012-02-21 |
公开(公告)号: | CN102592932A | 公开(公告)日: | 2012-07-18 |
发明(设计)人: | 陈芹纯 | 申请(专利权)人: | 南京特能电子有限公司 |
主分类号: | H01J37/244 | 分类号: | H01J37/244 |
代理公司: | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人: | 柏尚春 |
地址: | 210039 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 一种半导体背散射电子探测器,包括衬板、设置在所述衬板上的四个长方形硅片和电子束孔,四个长方形硅片内分别设置有导线并形成四个独立的单元,四个长方形硅片首尾相接围成一个正方形区域,所述电子束孔位于所述正方形区域内。所述的半导体背散射电子探测器结构简单,加工效率高,成本低廉,报废率低并且不影响成像。 | ||
搜索关键词: | 半导体 散射 电子 探测器 | ||
【主权项】:
一种半导体背散射电子探测器,其特征在于:包括衬板(1)、设置在所述衬板(1)上的四个长方形硅片(2,3,4,5)和电子束孔(6),四个长方形硅片(2,3,4,5)内分别设置有导线(8,9,10,11)并形成四个独立的单元,四个长方形硅片(2,3,4,5)首尾相接围成一个正方形区域(7),所述电子束孔(6)位于所述正方形区域(7)内。
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