[发明专利]具有埋入式位线及垂直晶体管的存储装置以及其制作方法有效
| 申请号： | 201210037335.1 | 申请日： | 2012-02-17 |
| 公开（公告）号： | CN102760669A | 公开（公告）日： | 2012-10-31 |
| 发明（设计）人： | 吴铁将;陈逸男;刘献文 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L29/78 |
| 代理公司： | 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 | 代理人： | 江耀纯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种形成埋入式位线的方法，其特征在于包括下列步骤。提供一衬底，且衬底具有一条状区域。在衬底的条状区域中形成一条状沟渠，其中条状沟渠具有一侧壁以及一底面。然后，加大条状沟渠的底面，使底面形成一弧状底面。接下来，在邻近弧状底面的衬底中形成一掺杂区。最后，在掺杂区旁形成一埋入式导电层。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 埋入 式位线 垂直 晶体管 存储 装置 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种形成埋入式位线的方法，其特征在于，包括：提供一衬底，所述衬底具有至少一条状区域；在所述衬底的所述条状区域中形成至少一条状沟渠，其中所述条状沟渠具有一侧壁以及一底面；加大所述条状沟渠的所述底面，使得所述底面形成一弧状底面；在邻近所述弧状底面的所述衬底中形成一掺杂区；以及在所述掺杂区旁形成一埋入式导电层，使得所述埋入式导电层形成一埋入式位线。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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