[发明专利]具有埋入式位线及垂直晶体管的存储装置以及其制作方法

权利要求书

1.一种形成埋入式位线的方法，其特征在于，包括：

提供一衬底，所述衬底具有至少一条状区域；

在所述衬底的所述条状区域中形成至少一条状沟渠，其中所述条状沟渠具有一侧壁以及一底面；

加大所述条状沟渠的所述底面，使得所述底面形成一弧状底面；

在邻近所述弧状底面的所述衬底中形成一掺杂区；以及

在所述掺杂区旁形成一埋入式导电层，使得所述埋入式导电层形成一埋入式位线。

2.如权利要求1所述的形成埋入式位线的方法，其特征在于，部份的所述弧状底面位于所述条状区域以外的区域，且所述埋入式导电层会形成在所述条状区域以外的部份所述弧状底面上。

3.如权利要求1所述的形成埋入式位线的方法，其特征在于，所述弧状底面具有一圆形横断面。

4.如权利要求1所述的形成埋入式位线的方法，其特征在于，形成所述条状沟渠的所述弧状底面的步骤包含：

在所述衬底以及所述条状沟渠的所述侧壁上形成一衬垫层；以及

进行一湿刻蚀步骤以加大所述条状沟渠的所述底面。

5.如权利要求4所述的形成埋入式位线的方法，其特征在于，所述衬垫层包含金属氧化物。

6.如权利要求4所述的形成埋入式位线的方法，其特征在于，所述湿刻蚀步骤包含使用所述衬垫层作为掩膜。

7.如权利要求1所述的形成埋入式位线的方法，其特征在于，形成所述掺杂区的方法包含：

在所述衬底上形成一物质层以填满所述条状沟渠；

进行一退火工艺；以及

移除所述物质层。

8.如权利要求7所述的形成埋入式位线的方法，其特征在于，所述掺杂区并未形成在所述条状沟渠的所述侧壁上。

9.如权利要求7所述的形成埋入式位线的方法，其特征在于，所述物质层包含多晶硅。

10.如权利要求1所述的形成埋入式位线的方法，其特征在于，形成所述掺杂区的方法包含一气相掺杂工艺。

11.如权利要求10所述的形成埋入式位线的方法，其特征在于，所述气相掺杂工艺包含：

提供一掺杂气体，使所述弧状底面暴露在所述掺杂气体中并进行掺杂；以及

进行一退火工艺。

12.如权利要求11所述的形成埋入式位线的方法，其特征在于，所述掺杂气体包含砷。

13.如权利要求1所述的形成埋入式位线的方法，其特征在于，形成所述埋入式导电层的步骤包含：

在所述条状沟渠中形成一金属层；

移除位于所述条状区域中的所述掺杂区以及所述金属层；以及

形成一绝缘层以填满所述条状沟渠。

14.如权利要求13所述的形成埋入式位线的方法，其特征在于，形成所述金属层的步骤包含一沉积工艺。

15.如权利要求13所述的形成埋入式位线的方法，其特征在于，所述金属层包含钛或氮化钛。

16.如权利要求13所述的形成埋入式位线的方法，其特征在于，移除所述掺杂区以及所述金属层的步骤包含一干刻蚀工艺。

17.如权利要求16所述的形成埋入式位线的方法，其特征在于，所述干刻蚀工艺会进一步穿过所述弧状底面，以移除位于所述弧状底面下方且位于所述条状区域中的所述衬底。

18.如权利要求13所述的形成埋入式位线的方法，其特征在于，所述绝缘层包含氧化硅。

19.如权利要求13所述的形成埋入式位线的方法，其特征在于，形成所述绝缘层填满所述条状沟渠后，所述绝缘层会形成一浅沟渠隔离结构。