[发明专利]非卤化蚀刻剂和使用该非卤化蚀刻剂制造显示基底的方法有效
| 申请号： | 201210034420.2 | 申请日： | 2012-02-15 |
| 公开（公告）号： | CN102747367A | 公开（公告）日： | 2012-10-24 |
| 发明（设计）人： | 金善一;崔新逸;朴智荣;金湘甲;权五柄;金童基;金相泰;朴英哲;刘仁浩;尹暎晋;李昔准;李俊雨;林玟基;张*勋;秦荣晙 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社;东友精细化工有限公司 |
| 主分类号： | C23F1/16 | 分类号： | C23F1/16;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 王占杰 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明的示例性实施例公开了一种用于蚀刻铟氧化物层的非卤化蚀刻剂和一种使用该非卤化蚀刻剂制造显示基底的方法，所述非卤化蚀刻剂包括硝酸、硫酸、含有铵的缓蚀剂、基于环胺的化合物和水。 | ||
| 搜索关键词： | 卤化 蚀刻 使用 制造 显示 基底 方法 | ||
【主权项】：
一种非卤化蚀刻剂，所述非卤化蚀刻剂包括：硝酸；硫酸；含有铵的缓蚀剂；基于环胺的化合物；以及水。
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