[发明专利]非卤化蚀刻剂和使用该非卤化蚀刻剂制造显示基底的方法

说明书

技术领域

本发明的示例性实施例涉及一种非卤化蚀刻剂和一种使用该非卤化蚀刻剂制造显示基底的方法。更具体地说，本发明的示例性实施例涉及一种用于蚀刻用来制造显示基底的铟氧化物层的非卤化蚀刻剂和一种使用该非卤化蚀刻剂制造显示基底的方法。

背景技术

通常，显示面板包括显示基底，作为用于驱动像素的开关元件的薄膜晶体管(TFT)形成在显示基底上。显示基底包括主要通过光刻工艺形成的多个金属图案。在光刻工艺中，在其上形成有待蚀刻的层的基底上形成光致抗蚀剂层。在光致抗蚀剂层被曝光并显影以形成光致抗蚀剂图案之后，使用光致抗蚀剂图案作为蚀刻停止层通过蚀刻剂来蚀刻层，从而将层图案化。

在蚀刻层的过程中，通过蚀刻剂去除通过光致抗蚀剂图案暴露的区域中的层，从而暴露设置在所述层下方的下层。然后，通过图案化的层暴露的下层与蚀刻剂接触，从而下层会被蚀刻剂损坏。

用于蚀刻包括铟氧化物层的层的蚀刻剂的示例包括基于王水的蚀刻剂(第1996-2903号韩国公布)、基于氯化铁的蚀刻剂(第5,456,765号美国专利)和基于草酸的蚀刻剂(第2000-17470号韩国公布)。然而，以上蚀刻剂会具有强化学活性，从而位于被蚀刻层下方的下层会容易地被蚀刻剂损坏。为了解决以上问题，已经开发出包括作为主氧化剂的硫酸和作为次氧化剂的硝酸或高氯酸的蚀刻剂组合物(第2005-77451号韩国公布)，当下层包括铝-铌(Al-Nb)、钼(Mo)或铬(Cr)时，下层不会被该蚀刻剂组合物损坏。

然而，当下层包括铜(Cu)层时，使用该蚀刻剂组合物蚀刻形成在下层上的铟氧化物层，从而铜层的表面会被该蚀刻剂组合物损坏。因此，当下层包括铜层时，不可以使用该蚀刻剂组合物。因此，用于当下层包括铜时蚀刻铟氧化物层的蚀刻剂组合物会需要与用于当下层包括铝时蚀刻铟氧化物层的蚀刻剂组合物具有不同的成分。因此，制造商会需要根据下层的组成来制备不同的蚀刻剂组合物，由此提高了制造成本。

发明内容

本发明的示例性实施例提供了一种用于蚀刻铟氧化物层的非卤化蚀刻剂，当蚀刻作为上层的铟氧化物层时，即使下层包括铜层或铝层，所述非卤化蚀刻剂仍能够使对下层的损坏最小化。

本发明的示例性实施例还提供了一种使用该非卤化蚀刻剂制造显示基底的方法。

本发明的附加特征将在下面的说明书中进行说明，并部分地根据说明书将是明显的，或者可以由本发明的实施而明了。

根据本发明的示例性实施例，一种非卤化蚀刻剂包括硝酸、硫酸、含有铵的缓蚀剂、基于环胺的化合物和水。

本发明的示例性实施例还公开了一种使用非卤化蚀刻剂制造显示基底的方法。在该方法中，在基底形成包括栅电极、源电极和漏电极的开关元件。在所述基底上形成铟氧化物层。使用包括硝酸、硫酸、含有铵的缓蚀剂、基于环胺的化合物和水的非卤化蚀刻剂将所述铟氧化物层图案化，以形成电连接到所述漏电极的第一像素电极。

本发明的示例性实施例还公开了一种使用非卤化蚀刻剂制造显示基底的方法。在该方法中，在基底上形成包括栅电极、源电极和漏电极的开关元件。形成直接接触所述漏电极并包括铟氧化物层的第一像素电极。使用包括硝酸、硫酸、含有铵的缓蚀剂、基于环胺的化合物和水的非卤化蚀刻剂去除所述第一像素电极。然后，在去除所述第一像素电极后在所述基底上形成直接接触所述漏电极的第二像素电极。

本发明的示例性实施例还公开了一种使用非卤化蚀刻剂制造显示基底的方法。在该方法中，在基底上形成导体。在所述基底上形成铟氧化物层。使用包括硝酸、硫酸、含有铵的缓蚀剂、基于环胺的化合物和水的非卤化蚀刻剂将所述铟氧化物层图案化。所述铟氧化物层电连接到所述导体。

应当理解，以上概括性描述和以下详细描述均是示例性的和解释说明性的，并且旨在提供对本发明的进一步解释。

附图说明

包括附图以提供对本发明的进一步理解，附图并入到本说明书中，并构成本说明书的一部分，附图对本发明的实施例进行举例说明，并与描述一起来解释本发明的原理。

图1是示出根据本发明示例性实施例制造的显示基底的平面图。

图2是沿图1中的I-I′线和II-II′线截取的剖视图。

图3A、图3B、图3C、图3D和图3E是示出制造在图2中示出的显示基底的方法的剖视图。

图4是示出根据本发明示例性实施例制造的显示基底的剖视图。

图5是示出制造在图4中示出的显示基底的方法的剖视图。

图6是示出根据本发明示例性实施例制造的显示基底的平面图。