[发明专利]非卤化蚀刻剂和使用该非卤化蚀刻剂制造显示基底的方法

权利要求书

1.一种非卤化蚀刻剂，所述非卤化蚀刻剂包括：

硝酸；

硫酸；

含有铵的缓蚀剂；

基于环胺的化合物；以及

水。

2.根据权利要求1所述的非卤化蚀刻剂，其中，基于所述非卤化蚀刻剂的总重量，硝酸的量在1重量％和10重量％之间，硫酸的量在1重量％和10重量％之间，缓蚀剂的量在0.1重量％和5重量％之间，基于环胺的化合物的量在0.1重量％和5重量％之间，余量为水。

3.根据权利要求1所述的非卤化蚀刻剂，其中，所述缓蚀剂包括从由乙酸铵、氨基磺酸铵、苯二酚铵、氨基甲酸铵、磷酸二氢铵、甲酸铵、碳酸氢铵、柠檬酸铵、硝酸铵、过硫酸铵、氨基磺酸铵和硫酸铵组成的组中选择的至少一种。

4.根据权利要求1所述的非卤化蚀刻剂，其中，所述基于环胺的化合物包括水溶性杂环胺化合物。

5.根据权利要求4所述的非卤化蚀刻剂，其中，所述基于环胺的化合物包括从由氨基四唑、咪唑、吲哚、嘌呤、吡唑、吡啶、嘧啶、吡咯、吡咯烷、吡咯啉和苯并三唑组成的组中选择的至少一种。

6.一种制造显示基底的方法，所述方法包括：

在基底上形成开关元件，所述开关元件包括栅电极、源电极和漏电极；

在所述基底上形成铟氧化物层；以及

使用非卤化蚀刻剂将所述铟氧化物层图案化，以形成电连接到所述漏电极的第一像素电极，所述非卤化蚀刻剂包括硝酸、硫酸、含有铵的缓蚀剂、基于环胺的化合物和水。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，基于所述非卤化蚀刻剂的总重量，硝酸的量在1重量％和10重量％之间，硫酸的量在1重量％和10重量％之间，缓蚀剂的量在0.1重量％和5重量％之间，基于环胺的化合物的量在0.1重量％和5重量％之间，余量为水。

8.根据权利要求6所述的方法，其中，所述缓蚀剂包括从由乙酸铵、氨基磺酸铵、苯二酚铵、氨基甲酸铵、磷酸二氢铵、甲酸铵、碳酸氢铵、柠檬酸铵、硝酸铵、过硫酸铵、氨基磺酸铵和硫酸铵组成的组中选择的至少一种。

9.根据权利要求6所述的方法，其中，所述基于环胺的化合物包括从由氨基四唑、咪唑、吲哚、嘌呤、吡唑、吡啶、嘧啶、吡咯、吡咯烷、吡咯啉和苯并三唑组成的组中选择的至少一种。

10.根据权利要求6所述的方法，其中，所述源电极和所述漏电极中的每个包括铜层。

11.根据权利要求6所述的方法，其中，通过下述步骤形成所述第一像素电极：

在所述基底上形成所述铟氧化物层，以覆盖其上形成有所述开关元件的所述基底；以及

使用所述非卤化蚀刻剂蚀刻所述铟氧化物层，

其中，所述第一像素电极直接接触所述漏电极。

12.根据权利要求6所述的方法，所述方法还包括：

在其上形成有所述第一像素电极的所述基底上形成绝缘层；以及

形成与所述第一像素电极叠置的第二像素电极，所述第二像素电极包括狭缝图案。

13.根据权利要求12所述的方法，所述方法还包括：蚀刻所述绝缘层，以在连接到所述开关元件的信号线的端部上形成焊盘孔。

14.根据权利要求13所述的方法，其中，形成第二像素电极的步骤包括：

形成通过所述焊盘孔接触所述信号线的所述端部的接触电极。

15.根据权利要求13所述的方法，其中，形成第一像素电极的步骤包括：

在连接到所述开关元件的所述信号线的所述端部上形成缓冲电极。

16.根据权利要求15所述的方法，其中，形成第二像素电极的步骤包括：

形成通过所述焊盘孔接触所述信号线的所述端部的接触电极。

17.根据权利要求6所述的方法，所述方法还包括：

在所述基底上形成绝缘层，以覆盖其上形成有所述开关元件的所述基底；以及

将所述绝缘层图案化，以形成部分地暴露所述漏电极的接触孔。