[发明专利]一种石墨烯场效应晶体管及其制备方法无效
| 申请号： | 201210032906.2 | 申请日： | 2012-02-15 |
| 公开（公告）号： | CN103258849A | 公开（公告）日： | 2013-08-21 |
| 发明（设计）人： | 马中发;庄弈琪;吴勇;张鹏;张策;包军林 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 710071 陕西省*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明的目的在于提供一种石墨烯场效应晶体管及其制备方法，该石墨烯场效应晶体管采用h-BN作为栅介质，来替代目前石墨烯场效应晶体管中的SiO2、HfO2等氧化物，从而提升石墨烯场效应晶体管的性能。由于h-BN的表面光学声子模式比SiO2中的相近模式的能量大两倍，因此以h-BN作为栅介质的石墨烯场效应晶体管在高频和强电场下的特性会比典型的以SiO2作为栅介质的石墨烯场效应晶体管特性要好。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 石墨 场效应 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种石墨烯场效应晶体管，其特征在于，包括衬底、石墨烯沟道层、h‑BN材质的底栅介质层、h‑BN材质的顶栅介质层、源电极、漏电极和顶栅电极，所述顶栅介质层和底栅介质层分别位于石墨烯沟道层的上方和下方，衬底位于底栅介质层的下方，源电极和漏电极分别位于石墨烯沟道层的两端，顶栅电极位于顶栅介质层上。
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