[发明专利]一种石墨烯场效应晶体管及其制备方法无效
| 申请号： | 201210032906.2 | 申请日： | 2012-02-15 |
| 公开（公告）号： | CN103258849A | 公开（公告）日： | 2013-08-21 |
| 发明（设计）人： | 马中发;庄弈琪;吴勇;张鹏;张策;包军林 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 710071 陕西省*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 石墨 场效应 晶体管 及其 制备 方法 | ||
1.一种石墨烯场效应晶体管，其特征在于，包括衬底、石墨烯沟道层、h-BN材质的底栅介质层、h-BN材质的顶栅介质层、源电极、漏电极和顶栅电极，所述顶栅介质层和底栅介质层分别位于石墨烯沟道层的上方和下方，衬底位于底栅介质层的下方，源电极和漏电极分别位于石墨烯沟道层的两端，顶栅电极位于顶栅介质层上。
2.根据权利要求1所述的石墨烯场效应晶体管，其特征在于，构成顶栅电极的材料为Ti/Au。
3.根据权利要求1所述的石墨烯场效应晶体管，其特征在于，构成源电极、漏电极的材料为Cr/Au。
4.根据权利要求1所述的石墨烯场效应晶体管，其特征在于，构成石墨烯沟道层的材料为单层或双层石墨烯。
5.一种石墨烯场效应晶体管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)提供可支撑该器件结构的导电型衬底；
(2)将一片h-BN片转移至衬底上，得到h-BN材质的底栅介质层；
(3)得到一面带有PMMA的石墨烯片；
(4)使石墨烯片未带PMMA的一面与h-BN材质的底栅介质层对准并使它们粘合在一起；
(5)将石墨烯片上的PMMA溶解，得到石墨烯沟道层；
(6)在石墨烯沟道层的两端用标准的电子束光刻定义源和漏的电极，然后用热蒸发淀积Cr/Au，得到源电极和漏电极；
(7)然后再往石墨烯沟道层的上方转移一片h-BN，形成h-BN材质的顶栅介质层；
(8)在顶栅介质层上用标准的电子束光刻定义栅电极，然后再蒸上Ti/Au形成顶栅电极。
6.根据权利要求5所述的石墨烯场效应晶体管的制备方法，其特征在于，在步骤(4)的操作时，在石墨烯片与h-BN材质的底栅介质层粘合时，将放有h-BN材质的底栅介质层的衬底加热到110℃。
7.根据权利要求5所述的石墨烯场效应晶体管的制备方法，其特征在于，在步骤(3)的操作时，在另一衬底上先涂上一层水溶性层，再在其上涂上PMMA，然后将石墨烯片转移在PMMA之上；再将其整个放于去离子水溶液中，水溶性层溶解后，该衬底沉入水底，而PMMA以及其上的石墨烯片将会漂浮在水面上，得到一面带有PMMA的石墨烯片。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安电子科技大学，未经西安电子科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210032906.2/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
