[发明专利]薄膜晶体管及其制作方法及显示器有效
申请号: | 201210032784.7 | 申请日: | 2012-02-14 |
公开(公告)号: | CN103247532A | 公开(公告)日: | 2013-08-14 |
发明(设计)人: | 李冠锋 | 申请(专利权)人: | 群康科技(深圳)有限公司;奇美电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/336 | 分类号: | H01L21/336;H01L29/78;H01L27/32;G02F1/1368 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 任默闻 |
地址: | 518109 广东省深圳市宝*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种薄膜晶体管的制作方法包括:提供一基板;在基板上依序形成一栅极、一栅绝缘层覆盖栅极、一主动层;在主动层上形成一导电层包括一源极、一漏极以及一位于源极与漏极之间的分隔部;在导电层上形成一第一光阻层,第一光阻层覆盖源极与漏极,并暴露出分隔部;使分隔部氧化而形成一绝缘金属氧化物层,以电性隔离源极与漏极;以及移除第一光阻层。本发明通过在刻蚀(连接源极与漏极的)分隔部时保留分隔部,然后再氧化分隔部的方式电性隔离源极与漏极,以避免刻蚀工艺损害分隔部下的主动层。 | ||
搜索关键词: | 薄膜晶体管 及其 制作方法 显示器 | ||
【主权项】:
一种薄膜晶体管的制作方法,其特征在于,包括:提供一基板;在所述基板上形成一栅极;在所述基板上形成一栅绝缘层覆盖所述栅极;在所述栅绝缘层上形成一主动层,其中所述主动层位于所述栅极上方;在所述主动层上形成一导电层,所述导电层包括一源极、一漏极以及一位于所述源极与所述漏极之间的分隔部;在所述导电层上形成一第一光阻层,所述第一光阻层覆盖所述源极与所述漏极,并暴露出所述分隔部;使所述分隔部氧化而形成一绝缘金属氧化物层,以电性隔离所述源极与所述漏极;以及移除所述第一光阻层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造