[发明专利]图像传感器圆片级封装方法及其结构无效
| 申请号： | 201210026720.6 | 申请日： | 2012-02-07 |
| 公开（公告）号： | CN103247639A | 公开（公告）日： | 2013-08-14 |
| 发明（设计）人： | 叶交托;罗乐;徐高卫;王双福 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种图像传感器圆片级封装方法及其结构。包括以下步骤：提供一包含若干芯片的图像传感器晶片(1)，与一透明基板(5)键合；之后对图像传感器晶片(1)进行背减薄；在图像传感器晶片背部、与所述焊盘电极(4)对应的位置打孔，形成若干第一通孔；然后喷涂绝缘层(8)并固化；在第一通孔内的绝缘层上继续形成横截面为倒梯形的第二通孔至暴露出所述焊盘电极(4)；所述第一通孔与第二通孔同轴；接着依次溅射金属种子层(10)、电镀形成金属互联层(11)；接着依次制备第二钝化层(12)和焊料凸点(13)。本发明整个工艺过程在圆片级完成，在降低封装成本的基础上具有较高的互连密度。同时，制作的互连结构具有较高的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 图像传感器 圆片级 封装 方法 及其 结构 | ||
【主权项】：
一种图像传感器圆片级封装方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：1)提供一包含若干芯片的图像传感器晶片(1)，与一透明基板(5)键合；所述芯片包括形成于其正面的图像传感单元(2)以及分布于图像传感单元周围的若干焊盘电极(4)；2)之后对图像传感器晶片(1)进行背减薄；3)之后在图像传感器晶片背部、与所述焊盘电极(4)对应的位置打孔，形成若干横截面为倒梯形的第一通孔，孔深为穿透背减薄之后的整个图像传感器晶片；4)在步骤3)之后获得的结构上喷涂绝缘层(8)并固化；5)在第一通孔内的绝缘层上继续形成横截面为倒梯形的第二通孔至暴露出所述焊盘电极(4)；所述第一通孔与第二通孔同轴；6)接着依次溅射金属种子层(10)、电镀形成金属互联层(11)；7)接着依次制备第二钝化层(12)和焊料凸点(13)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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