[发明专利]图像传感器圆片级封装方法及其结构

权利要求书

1.一种图像传感器圆片级封装方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：

1)提供一包含若干芯片的图像传感器晶片(1)，与一透明基板(5)键合；所述芯片包括形成于其正面的图像传感单元(2)以及分布于图像传感单元周围的若干焊盘电极(4)；

2)之后对图像传感器晶片(1)进行背减薄；

3)之后在图像传感器晶片背部、与所述焊盘电极(4)对应的位置打孔，形成若干横截面为倒梯形的第一通孔，孔深为穿透背减薄之后的整个图像传感器晶片；

4)在步骤3)之后获得的结构上喷涂绝缘层(8)并固化；

5)在第一通孔内的绝缘层上继续形成横截面为倒梯形的第二通孔至暴露出所述焊盘电极(4)；所述第一通孔与第二通孔同轴；

6)接着依次溅射金属种子层(10)、电镀形成金属互联层(11)；

7)接着依次制备第二钝化层(12)和焊料凸点(13)。

2.根据权利要求1所述的图像传感器圆片级封装方法，其特征在于，所述图像传感器晶片的材料为砷化镓GaAs。

3.根据权利要求1所述的图像传感器圆片级封装方法，其特征在于，步骤1)中图像传感器晶片(1)与一透明基板(5)使用BCB作为粘结剂键合。

4.根据权利要求1所述的图像传感器圆片级封装方法，其特征在于，步骤1)中的透明基板(5)为玻璃基板。

5.根据权利要求1所述的图像传感器圆片级封装方法，其特征在于，步骤2)中对图像传感器晶片(1)进行背减薄包括先使用机械研磨减薄，接着采用化学机械抛光减薄的步骤。

6.根据权利要求1所述的图像传感器圆片级封装方法，其特征在于，所述绝缘层(8)的材料为环氧树脂。

7.根据权利要求1所述的图像传感器圆片级封装方法，其特征在于，所述步骤6)中溅射金属种子层(10)包括依次溅射黏附层和种子层的步骤。

8.根据权利要求1所述的图像传感器圆片级封装方法，其特征在于，所述步骤7)中制备钝化层(12)利用旋涂环氧树脂的方法制作。

9.根据权利要求1所述的图像传感器圆片级封装方法，其特征在于，所述步骤7)中焊料凸点(13)包括以下步骤：首先在制备好第二钝化层(12)后获得的结构上旋涂一层光刻胶，光刻，露出需要开口的地方；使用反应离子刻蚀对第二钝化层(12)进行开口，刻蚀完成后使用丙酮去胶，溅射金属薄膜作为焊料凸点(13)的UBM层；使用电镀法在UBM层上制备焊料凸点(13)。

10.根据权利要求1所述的图像传感器圆片级封装方法，其特征在于，所述第一通孔的间距为150um。

11.一种根据权利要求1-10任意一项所述的方法制备的图像传感器圆片级封装结构。