[发明专利]基于控制离子注入的能量来制备石墨烯的方法

摘要

本发明提供一种基于控制离子注入的能量来制备石墨烯的方法。根据本发明的方法，首先，基于至少一种注入能量向催化衬底注入碳离子；随后，对已注入碳离子的催化衬底进行退火处理以使注入的碳离子析出，并在所述催化衬底表面形成至少一层石墨烯薄膜层；最后，去除所述已形成至少一层石墨烯薄膜层的结构的催化衬底以获得至少一层石墨烯薄膜层。本法所制备出的石墨烯薄膜质量好、尺寸大、且层数可控；相比于SiC升华法，本法制备的石墨烯易于转移；相比与化学气相沉积法，本法制备的石墨烯层数可控。

主权项

一种基于控制离子注入的能量来制备石墨烯的方法，其特征在于，所述基于控制离子注入的能量来制备石墨烯的方法至少包括步骤：1)基于至少一种注入能量向催化衬底注入碳离子；2)对已注入碳离子的催化衬底进行退火处理以使注入的碳离子析出，以便在所述催化衬底表面形成至少一层石墨烯薄膜层；3)去除所述已形成至少一层石墨烯薄膜层的结构的催化衬底以获得至少一层石墨烯薄膜层。