[发明专利]基于控制离子注入的能量来制备石墨烯的方法在审
| 申请号： | 201210026563.9 | 申请日： | 2012-02-07 |
| 公开（公告）号： | CN103247520A | 公开（公告）日： | 2013-08-14 |
| 发明（设计）人： | 狄增峰;王刚;张苗;陈达;叶林;郭庆磊;丁古巧;谢晓明 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01L21/265 | 分类号： | H01L21/265;H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基于 控制 离子 注入 能量 制备 石墨 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种基于控制离子注入的能量来制备石墨烯的方法，其特征在于，所述基于控制离子注入的能量来制备石墨烯的方法至少包括步骤：
1)基于至少一种注入能量向催化衬底注入碳离子；
2)对已注入碳离子的催化衬底进行退火处理以使注入的碳离子析出，以便在所述催化衬底表面形成至少一层石墨烯薄膜层；
3)去除所述已形成至少一层石墨烯薄膜层的结构的催化衬底以获得至少一层石墨烯薄膜层。
2.根据权利要求1所述的基于控制离子注入的能量来制备石墨烯的方法，其特征在于：所述步骤1)还包括：
以注入能量递减的方式多次向催化衬底注入碳离子。
3.根据权利要求1或2所述的基于控制离子注入的能量来制备石墨烯的方法，其特征在于：所述催化衬底的材料包括对碳溶解度低的材料。
4.根据权利要求1所述的基于控制离子注入的能量来制备石墨烯的方法，其特征在于：所述催化衬底的材料包括铜。
5.根据权利要求1所述的基于控制离子注入的能量来制备石墨烯的方法，其特征在于：所述步骤3)还包括：
采用腐蚀溶液来去除所述已形成至少一层石墨烯薄膜层的结构的催化衬底以获得至少一层石墨烯薄膜层。
6.根据权利要求5所述的基于控制离子注入的能量来制备石墨烯的方法，其特征在于：所述腐蚀溶液包括FeCl3溶液。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
