[发明专利]泡生法生长蓝宝石单晶体中的升温化料的方法及其应用无效
| 申请号： | 201210026217.0 | 申请日： | 2012-02-07 |
| 公开（公告）号： | CN102634845A | 公开（公告）日： | 2012-08-15 |
| 发明（设计）人： | 田野;陈翼;拾康;孙永超;谈佳华 | 申请（专利权）人： | 徐州协鑫光电科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B17/00 | 分类号： | C30B17/00;C30B29/20 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 钟晶;於毓桢 |
| 地址： | 221000 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种泡生法生长蓝宝石单晶体中的升温化料的方法及其应用。该升温化料的方法包括如下步骤：氧化铝饼块料装炉，使炉内压力达到1.5×10-2Pa；启动加热系统，使温度从0℃升到1650-1900℃，其中升温斜率为70-150℃/h；当温度达到1650-1900℃时，修改升温斜率为20-50℃/h，一直升温到2100℃，保持2100℃至氧化铝饼块料完全融化。本发明的泡生法生长蓝宝石单晶体中的升温化料的方法，有效地解决蓝宝石生长中形成的微气泡缺陷，提高晶体质量。 | ||
| 搜索关键词： | 泡生法 生长 蓝宝石 单晶体 中的 升温 方法 及其 应用 | ||
【主权项】：
一种泡生法生长蓝宝石单晶体中的升温化料的方法，包括如下步骤：氧化铝饼块料装炉，使炉内压力达到1.5×10‑2Pa；启动加热系统，使温度从0℃升到1650‑1900℃，其中升温斜率为70‑150℃/h；当温度达到1650‑1900℃时，修改升温斜率为20‑50℃/h，一直升温到2100℃，保持2100℃至氧化铝饼块料完全融化。
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