[发明专利]泡生法生长蓝宝石单晶体中的升温化料的方法及其应用无效
| 申请号： | 201210026217.0 | 申请日： | 2012-02-07 |
| 公开（公告）号： | CN102634845A | 公开（公告）日： | 2012-08-15 |
| 发明（设计）人： | 田野;陈翼;拾康;孙永超;谈佳华 | 申请（专利权）人： | 徐州协鑫光电科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B17/00 | 分类号： | C30B17/00;C30B29/20 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 钟晶;於毓桢 |
| 地址： | 221000 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 泡生法 生长 蓝宝石 单晶体 中的 升温 方法 及其 应用 | ||
【权利要求书】：
1.一种泡生法生长蓝宝石单晶体中的升温化料的方法，包括如下步骤：
氧化铝饼块料装炉，使炉内压力达到1.5×10-2Pa；
启动加热系统，使温度从0℃升到1650-1900℃，其中升温斜率为70-150℃/h；
当温度达到1650-1900℃时，修改升温斜率为20-50℃/h，一直升温到2100℃，保持2100℃至氧化铝饼块料完全融化。
2.权利要求1所述的方法在生长蓝宝石单晶体中的应用。
3.一种泡生法生长蓝宝石单晶体的方法，其特征在于所述升温化料过程包括如下步骤：
氧化铝饼块料装炉，使炉内压力达到1.5×10-2Pa；
启动加热系统，使温度从0℃升到1650-1900℃，其中升温斜率为70-150℃/h；
当温度达到1650-1900℃时，修改升温斜率为20-50℃/h，一直升温到2100℃，保持2100℃至氧化铝饼块料完全融化。
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