[发明专利]孔洞在先的硬掩模限定有效
| 申请号： | 201210025536.X | 申请日： | 2012-02-06 |
| 公开（公告）号： | CN102956816A | 公开（公告）日： | 2013-03-06 |
| 发明（设计）人： | 黄韦翰;刘世昌;徐晨祐;宋福庭;蔡嘉雄 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/12 | 分类号： | H01L43/12;H01L27/22;H01L43/08;G11C11/16 |
| 代理公司： | 北京德恒律师事务所 11306 | 代理人： | 陆鑫;房岭梅 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体器件及制造方法，诸如，MTJ器件及制造MTJ器件的方法。该MTJ器件可以包括底部电极、MTJ堆叠件以及顶部电极，其中，使用孔洞填充技术形成该顶部电极。该顶部电极可以具有倾斜的侧壁。可以通过沉积对应的MTJ层来形成该MTJ堆叠件。可以在MTJ层上方形成并且图案化经过图案化的掩模，从而形成限定出顶部电极的开口。利用导电材料填充该开口，从而形成顶部电极。然后，将该顶部电极用作掩模来图案化MTJ层，从而形成MTJ堆叠件。本发明还提供了一种孔洞在先的硬掩模限定。 | ||
| 搜索关键词： | 孔洞 在先 硬掩模 限定 | ||
【主权项】：
一种形成集成电路的方法，所述方法包括：提供衬底，所述衬底具有形成在其上的底部电极层和磁隧道结(MTJ)堆叠层；形成覆盖着所述MTJ堆叠层的掩模层；在所述掩模层中形成开口，以暴露出所述MTJ堆叠层的一部分；在所述开口中形成顶部电极；以及使用所述顶部电极作为掩模来图案化所述MTJ堆叠层，从而形成MTJ堆叠件。
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