[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

一种半导体器件，包括在单元晶体管区域中的半导体衬底(13)上设置的第一绝缘膜(14A)，设置在所述第一绝缘膜上的第一导电膜(15)，设置在所述第一导电膜上的电极间绝缘膜(16)，设置在所述电极间绝缘薄上并且在其顶表面上具有第一金属硅化物(3b)膜的第二导电膜(3a，3b)，形成在所述半导体衬底的表面上的第一源极/漏极区域(23)，在选择栅极晶体管和外围晶体管中的至少一个中的所述半导体衬底上设置的第二绝缘膜(14B)，在所述第二绝缘膜上设置并在其顶表面上具有第二金属硅化物膜(22)的第三导电膜(3a，3b，22)，所述第二金属硅化物膜的厚度小于所述第一金属硅化物膜的厚度，以及形成在所述半导体衬底的所述表面上的第二源极/漏极(23a，23b)区域。

主权项

一种半导体器件，包括：第一绝缘膜，其设置在单元晶体管区域中的半导体衬底上；电荷存储膜，其设置在所述第一绝缘膜上；第二绝缘膜，其设置在所述电荷存储膜上；控制栅极电极，其包括第一导电膜和在所述第一导电膜上的第二导电膜，所述第一导电膜被设置在所述第二绝缘膜上，所述第二导电膜包括第一金属硅化物膜；第一源极/漏极区域，其形成在所述半导体衬底的表面上，并夹住在所述第一绝缘膜之下的区域；第三绝缘膜，其设置在外围晶体管区域中的所述半导体衬底上；栅极电极，其包括第三导电膜和在所述第三导电膜上的第四导电膜，所述第三导电膜被设置在所述第三绝缘膜上，所述第四导电膜包括多晶硅膜和在所述多晶硅膜的顶表面上的第二金属硅化物膜，所述第二金属硅化物膜在所述第四导电膜中的所述多晶硅膜的所述顶表面和侧表面之上整体延伸；第二源极/漏极区域，其形成在所述半导体衬底的所述表面上，并夹住在所述第三绝缘膜之下的区域；侧壁绝缘膜，其形成在所述控制栅极电极和所述电荷存储膜的侧表面上；以及阻挡膜，其形成在所述半导体衬底上以及所述侧壁绝缘膜和所述栅极电极的侧表面中的至少一个上，其中，所述第一和第三导电膜包括相同的材料，所述第一和第二金属硅化物膜包括相同的材料，并且所述侧壁绝缘膜和所述阻挡膜的最高点高于所述第二绝缘膜的顶表面并低于所述第二导电膜的顶表面。