[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

第一绝缘膜，其设置在单元晶体管区域中的半导体衬底上；

电荷存储膜，其设置在所述第一绝缘膜上；

第二绝缘膜，其设置在所述电荷存储膜上；

控制栅极电极，其包括第一导电膜和在所述第一导电膜上的第二导电膜，所述第一导电膜被设置在所述第二绝缘膜上，所述第二导电膜包括第一金属硅化物膜；

第一源极/漏极区域，其形成在所述半导体衬底的表面上，并夹住在所述第一绝缘膜之下的区域；

第三绝缘膜，其设置在外围晶体管区域中的所述半导体衬底上；

栅极电极，其包括第三导电膜和在所述第三导电膜上的第四导电膜，所述第三导电膜被设置在所述第三绝缘膜上，所述第四导电膜包括多晶硅膜和在所述多晶硅膜的顶表面上的第二金属硅化物膜，所述第二金属硅化物膜在所述第四导电膜中的所述多晶硅膜的所述顶表面和侧表面之上整体延伸；

第二源极/漏极区域，其形成在所述半导体衬底的所述表面上，并夹住在所述第三绝缘膜之下的区域；

侧壁绝缘膜，其形成在所述控制栅极电极和所述电荷存储膜的侧表面上；以及

阻挡膜，其形成在所述半导体衬底上以及所述侧壁绝缘膜和所述栅极电极的侧表面中的至少一个上，

其中，所述第一和第三导电膜包括相同的材料，所述第一和第二金属硅化物膜包括相同的材料，并且所述侧壁绝缘膜和所述阻挡膜的最高点高于所述第二绝缘膜的顶表面并低于所述第二导电膜的顶表面。

2.根据权利要求1的器件，其中：

在所述多晶硅膜的侧表面上的所述第二金属硅化物膜的沿垂直方向的厚度等于所述第一金属硅化物膜的沿垂直方向的厚度。

3.根据权利要求2的器件，其中：

所述栅极电极还包括在所述第三导电膜与所述第四导电膜之间形成的第四绝缘膜，

所述第四绝缘膜具有开口，以及所述第四导电膜形成在所述开口中。

4.根据权利要求1的器件，其中：

所述控制栅极电极包括：覆盖所述第二绝缘膜的顶表面的第一部分，和覆盖所述第一部分的顶表面的第二部分，以及

所述第一金属硅化物膜占据所述控制栅极电极的所述第二部分的整个部分。

5.根据权利要求1的器件，其中：

所述第四导电膜的宽度大于所述第二导电膜的宽度。

6.根据权利要求1的器件，其中还包括：

多个层叠的栅极电极结构，每一个具有所述第一导电膜、所述第二绝缘膜、以及包括所述第一金属硅化物膜的所述第二导电膜。

7.根据权利要求6的器件，其中：

所述侧壁绝缘膜还形成在所述层叠的栅极电极结构之间以及形成在所述第三导电膜的侧表面上，以及

形成在所述层叠的栅极结构之间的所述侧壁绝缘膜的上表面等于形成在第三导电膜的所述侧表面上的所述侧壁绝缘膜的上表面。

8.根据权利要求1的器件，其中：

所述侧壁绝缘膜的下表面低于所述第一导电膜的下表面。

9.根据权利要求1的器件，还包括：

空隙，其具有位于所述侧壁绝缘膜的上表面处的开口，并延伸到所述侧壁绝缘膜的中间；以及

二氧化硅膜，其覆盖所述第二导电膜的所述上表面和侧表面，并覆盖所述侧壁绝缘膜。

10.根据权利要求9的器件，其中：

所述二氧化硅膜被形成在所述空隙中。