[发明专利]陶瓷组合物及电子部件

摘要

根据本发明的实施方式，提供能够低温煅烧、可获得在高频区域的介电损耗低、耐镀敷腐蚀性优良的烧结体的陶瓷组合物及电子部件。本发明的一个实施方式的陶瓷组合物，含有：由Ba4(Re(1-x)，Bix)9.33Ti18O54表示的主相成分、第一副成分和第二副成分；所述第一副成分相对于主相成分100质量份，以氧化物换算计含有B成分0.3～1.4质量份、Li成分0.1～0.3质量份、Zn成分1.5～7质量份及Ag成分1.5～2质量份；所述第二副成分相对于主相成分100质量份，以氧化物换算计含有Si成分0～1.25质量份、Al成分0～1.25质量份及Bi成分0～5质量份。本发明的一个实施方式的电子部件，具备：将该陶瓷组合物煅烧而得的陶瓷层、和位于该陶瓷层的表面和/或内部且与陶瓷组合物同时煅烧而得的导体层。

主权项

一种陶瓷组合物，含有：由下式(1)表示的主相成分、由B成分、Li成分、Zn成分及Ag成分构成的第一副成分、和含有选自由Si成分、Al成分及Bi成分组成的组中的至少一种成分的第二副成分，所述第一副成分相对于所述主相成分100质量份，以氧化物换算计含有B成分0.3～1.4质量份、Li成分0.1～0.3质量份、Zn成分1.5～7质量份、Ag成分1.5～2质量份，所述第二副成分相对于所述主相成分100质量份，以氧化物换算计含有Si成分0～1.25质量份、Al成分0～1.25质量份、Bi成分0～5质量份，当所述第二副成分仅单独含有Si成分时，Si成分的含量相对于所述主相成分100质量份，以氧化物换算为0.4～1质量份，当所述第二副成分仅单独含有Al成分时，Al成分的含量相对于所述主相成分100质量份，以氧化物换算为0.5～1质量份，当所述第二副成分仅单独含有Bi成分时，Bi成分的含量相对于所述主相成分100质量份，以氧化物换算为4～5质量份，当所述第二副成分不含Bi成分而含有Si成分和Al成分时，Si成分与Al成分的合计含量相对于所述主相成分100质量份，以氧化物换算为0.9质量份以下，当所述第二副成分含有Si成分和Bi成分，或含有Al成分和Bi成分时，Si成分的含量相对于所述主相成分100质量份，以氧化物换算为1.25质量份以下，Al成分的含量相对于所述主相成分100质量份，以氧化物换算为1.25质量份以下，Bi成分的含量相对于所述主相成分100质量份，以氧化物换算为4～5质量份，当所述第二副成分含有Si成分、Al成分和Bi成分时，Si成分与Al成分的合计含量相对于所述主相成分100质量份，以氧化物换算为1.15质量份以下，Bi成分的含量相对于所述主相成分100质量份，以氧化物换算为4～5质量份，Ba4(Re(1‑x)，Bix)9.33Ti18O54…(1)式(1)中，Re为稀土元素，x为0～0.15。