[发明专利]陶瓷组合物及电子部件

说明书

技术领域

本发明涉及能够低温煅烧、可获得在高频区域的介电损耗低且耐镀敷腐蚀性优良的烧结体的陶瓷组合物，以及在高频区域的介电损耗低且迁移得到改善的电子部件。

背景技术

随着近年来信息的大容量化、信息通信的高速化，要求在不损耗高频信号的情况下进行传输。因此，要求这些设备上搭载的电路基板等电子部件在高频区域的介电损耗(tanδ＝1/Q)小。介电损耗的大小一般用Q×f值的大小表示，因此，在要求介电损耗小的情况下，要求Q×f值大。

对于高频信号用的电子部件中使用的陶瓷组合物，除了要求Q×f值大以外，还要求介电常数ε大、及共振频率的温度特性τf接近零等特性。

但是，由于介电常数ε越高则温度特性τf越差，Q×f值有减小的倾向，因此，难以实现介电常数ε及Q×f值大、温度系数τf小的陶瓷组合物。因而，要求开发满足这些特性的材料。

作为这样的材料之一，有日本特开2002-321973号公报(专利文献1)中记载的、包含由Ba_6-3x(R_1-y，Bi_y)_8+2xTi₁₈O₅₄表示的钨青铜型假固溶体的陶瓷组合物。该陶瓷组合物通过对所谓的钨青铜型假固溶体中的部分Bi进行进行置换处理而得到，认为其介电常数ε大且具有零附近的共振频率的温度系数τf。

现有技术文献

专利文献1：日本特开2002-321973号公报

发明内容

但是，为了将引用文献1的陶瓷组合物烧结，需要加热到1200℃以上，因此，不能与Ag等低电阻金属同时煅烧。这样，使用引用文献1的陶瓷组合物时，无法利用低电阻金属形成导体层。

虽然通过添加低温烧结助剂可降低陶瓷组合物的烧结温度，但添加低温烧结助剂所获得的烧结体存在电特性降低、或晶界的化学耐久性降低的问题。若烧结体的晶界的化学耐久性降低，则在对形成于陶瓷层上的导体层进行镀敷处理时，陶瓷层容易被镀液侵蚀，因此所得的电子部件中容易发生迁移。

因此，根据本发明的实施方式，提供能够低温煅烧、可获得在高频区域的介电损耗低且耐镀敷腐蚀性优良的烧结体的陶瓷组合物。另外，根据本发明的另一实施方式，提供在高频区域的介电损耗低且迁移得到改善的电子部件。

本发明的一个实施方式的陶瓷组合物，含有由下式(1)表示的主相成分，由B成分、Li成分、Zn成分及Ag成分构成的第一副成分，和含有选自由Si成分、Al成分及Bi成分组成的组中的至少一种成分的第二副成分；所述第一副成分相对于所述主相成分100质量份，以氧化物换算计含有B成分0.3～1.4质量份、Li成分0.1～0.3质量份、Zn成分1.5～7质量份及Ag成分1.5～2质量份；所述第二副成分相对于所述主相成分100质量份，以氧化物换算计含有Si成分0～1.25质量份、Al成分0～1.25质量份、Bi成分0～5质量份；当所述第二副成分仅含有Si成分时，Si成分的含量为0.4～1质量份；当所述第二副成分仅含有Al成分时，Al成分的含量为0.5～1质量份；当所述第二副成分仅含有Bi成分时，Bi成分的含量为4～5质量份；当所述第二副成分不含Bi成分而含有Si成分和Al成分时，Si成分与Al成分的合计含量为0.9质量份以下；当所述第二副成分含有Si成分和Bi成分或者含有Al成分和Bi成分时，Si成分的含量为1.25质量份以下，Al成分的含量为1.25质量份以下，Bi成分的含量为4～5质量份；当所述第二副成分含有Si成分、Al成分和Bi成分时，Si成分与Al成分的合计含量为1.15质量份以下，Bi成分的含量为4～5质量份。

Ba₄(Re_(1-x)，Bi_x)_9.33Ti₁₈O₅₄…(1)

(式(1)中，Re为稀土元素，x为0～0.15)

另外，本发明的一个实施方式涉及的电子部件具备：将上述陶瓷组合物煅烧而得的陶瓷层、和位于该陶瓷层的表面和/或内部且与所述陶瓷组合物同时煅烧而得的导体层。

在本发明的一个实施方式的电子部件中，所述导体层由Ag和/或Ag合金形成。

本发明的一个实施方式的电子部件中，所述导体层的表面进行了湿式镀敷处理。

本发明的一个实施方式的电子部件，可作为基板使用。