[发明专利]一种三维立体掩模板及其制备工艺有效
申请号: | 201210010755.0 | 申请日: | 2012-01-16 |
公开(公告)号: | CN103207515B | 公开(公告)日: | 2018-10-23 |
发明(设计)人: | 魏志凌;高小平;王峰;孙倩 | 申请(专利权)人: | 昆山允升吉光电科技有限公司 |
主分类号: | G03F1/00 | 分类号: | G03F1/00;G03F7/00;C25D1/10;B41C1/00;B41N1/24 |
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地址: | 215300 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开一种三维立体掩模板,该三维立体掩模板具有双层结构,即印刷面具有三维立体芯模构成结构的凸起区域,PCB面具有三维立体结构的凹陷区域。该三维立体掩模板的制备工艺包括如下步骤:芯模前处理→贴膜→曝光→显影→电铸→剥离→双面贴膜→双面曝光→双面显影→双面蚀刻→脱膜→激光切割。用此种制备工艺制备得到的掩模板可以有效降低在向印刷板凸凹部位进行焊膏转移过程中由于位置精度和尺寸精度的很大偏差和掩模的变形而导致产品和掩模的报废;同时,该工艺得到的掩模板具有高表面质量,图形开口平滑,无毛刺,无变形,具有高的光亮度和低的表面粗糙度。此外,本发明的制备工艺步骤简单,高效且成本低,利于大规模的生产和推广。 | ||
搜索关键词: | 一种 三维立体 模板 及其 制备 工艺 | ||
【主权项】:
1.一种三维立体掩模板的制备工艺,其特征在于,三维立体掩模板具有双层结构,即印刷面具有三维立体结构的凸起区域,PCB面具有三维立体结构的凹陷区域;所述的三维立体掩模板的制备工艺包括如下步骤:芯模前处理→贴膜→曝光→显影→电铸→剥离→双面贴膜→双面曝光→双面显影→双面蚀刻→脱膜→激光切割;其中芯模前处理:选取1.8mm 厚的不锈钢板作为芯模材料,将芯模切割成为800mm*600mm 的尺寸大小;将芯模除油、酸洗、喷砂,以去除表面的油渍杂质,并将表面打磨光滑;贴膜:芯模的单面进行贴膜;曝光:将芯模的单面进行曝光,即将电铸层上的开口区域曝光;显影:将未曝光部分显影去除,留下曝光的部分以作后续电铸步骤的保护膜;电铸:在芯模上电沉积上金属材料,形成三维立体掩模板的电铸层基板;双面贴膜:掩模板电铸层双面贴膜;双面曝光:将掩模板电铸层双面贴膜后进行曝光,即在印刷面曝光凸起区域,在PCB 面曝光凹陷区域;双面显影:将未曝光部分显影去除,留下曝光的部分干膜以作后续蚀刻步骤的保护膜;双面蚀刻:蚀刻区域即为双面显影的未曝光区域,蚀刻后即可形成厚度均一的三维立体掩模板;激光切割直接在蚀刻形成的三维立体掩模板的三维立体区域切割开口,工艺步骤如下:(1)将通过电铸蚀刻工艺制得的掩模板固定在一个提供张力的框架上,放在切割基台上,使得具有凸起区域的印刷面朝上放置;(2)通过CCD定位掩模板,通过原始文件确定三维立体结构上的切割图形开口坐标;(3)调整好切割参数,调整好激光切割头的纵向高度,使其激光焦点落在掩模板印刷面凸起区域表面,以形成3‑8°的锥角的切割边;(4)通过激光切割头发射出激光,进行切割。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
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G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
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