[发明专利]一种静电释放保护电路及其工作方法有效
| 申请号： | 201210009307.9 | 申请日： | 2012-01-12 |
| 公开（公告）号： | CN102655145A | 公开（公告）日： | 2012-09-05 |
| 发明（设计）人： | 段立业;吴仲远 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H02H9/04 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种静电释放保护电路及其工作方法，涉及显示领域，为迅速泄放静电电荷同时避免信号以漏电流形式泄放而发明。所述电路包括第一电容、第一分压单元和薄膜晶体管：第一薄膜晶体管、第三薄膜晶体管、第四薄膜晶体管；所述第一薄膜晶体管的栅极接于信号控制线，漏极接于第一电位线；所述第一分压单元的第一端接于所述第一薄膜晶体管的源极，第二端接于第二电位线；所述第三薄膜晶体管的栅极接于所述第一薄膜晶体管的源极，漏极接于第一电位线，源极接于信号控制线；所述第四薄膜晶体管栅极接于辅助电位线，漏极接于信号控制线，源极接于第二电位线；所述第一电容的第一极接于所述第三薄膜晶体管的栅极，第二极接于信号控制线。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 静电 释放 保护 电路 及其 工作 方法 | ||
【主权项】：
一种静电释放保护电路，其特征在于，包括第一电容、第一分压单元和薄膜晶体管：第一薄膜晶体管、第三薄膜晶体管、第四薄膜晶体管；所述第一薄膜晶体管的栅极接于信号控制线，漏极接于第一电位线；所述第一分压单元的第一端接于所述第一薄膜晶体管的源极，第二端接于第二电位线；所述第三薄膜晶体管的栅极接于所述第一薄膜晶体管的源极，漏极接于第一电位线，源极接于信号控制线；所述第四薄膜晶体管栅极接于辅助电位线，漏极接于信号控制线，源极接于第二电位线；所述第一电容的第一极接于所述第三薄膜晶体管的栅极，第二极接于信号控制线。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
