[发明专利]一种静电释放保护电路及其工作方法

权利要求书

1.一种静电释放保护电路，其特征在于，

包括第一电容、第一分压单元和薄膜晶体管：第一薄膜晶体管、第三薄膜晶体管、第四薄膜晶体管；

所述第一薄膜晶体管的栅极接于信号控制线，漏极接于第一电位线；

所述第一分压单元的第一端接于所述第一薄膜晶体管的源极，第二端接于第二电位线；

所述第三薄膜晶体管的栅极接于所述第一薄膜晶体管的源极，漏极接于第一电位线，源极接于信号控制线；

所述第四薄膜晶体管栅极接于辅助电位线，漏极接于信号控制线，源极接于第二电位线；

所述第一电容的第一极接于所述第三薄膜晶体管的栅极，第二极接于信号控制线。

2.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述第一分压单元包括第二薄膜晶体管，所述第一分压单元的第一端为所述第二薄膜晶体管的漏极，所述第一分压单元的第二端为所述第二薄膜晶体管的栅极和源极。

3.根据权利要求2所述的电路，其特征在于，

所述薄膜晶体管均为N型耗尽型薄膜晶体管，所述信号控制线是数据线，所述第一电位线、第二电位线、辅助电位线上的电位依次降低。

4.根据权利要求3所述的电路，其特征在于，所述辅助电位线上的电位与所述第二电位线上的电位之差小于所述第四薄膜晶体管的开启电压。

5.根据权利要求2所述的电路，其特征在于，

所述薄膜晶体管均为P型耗尽型薄膜晶体管，所述信号控制线是数据线，所述第一电位线、第二电位线、辅助电位线上的电位依次升高。

6.根据权利要求5所述的电路，其特征在于，所述辅助电位线上的电位与所述第二电位线上的电位之差大于所述第四薄膜晶体管的开启电压。

7.根据权利要求2至6所述的电路，其特征在于，所述第二薄膜晶体管的有效沟道区宽长比比所述第一薄膜晶体管、所述第三薄膜晶体管和所述第四薄膜晶体管的有效沟道区宽长比都小。

8.一种如权利要求1所述的静电释放保护电路的工作方法，其特征在于，包括：

所述信号控制线上无静电电荷时，通过所述第一薄膜晶体管和所述第一分压单元的分压作用控制所述第三薄膜晶体管的栅极电位关闭所述第三薄膜晶体管，和通过控制所述第二电位线和所述辅助电位线的电位差关闭所述第四薄膜晶体管，以保持所述信号控制线的信号不泄放；

所述信号控制线上有静电电荷时，通过所述第一薄膜晶体管和所述第一分压单元的分压以及所述第一电容共同作用控制所述第三薄膜晶体管的栅极电位开启所述第三薄膜晶体管，以使静电荷通过所述第三薄膜晶体管向所述第一电位线泄放；或

通过所述信号控制线与所述辅助电位线的电位差的改变开启所述第四薄膜晶体管，以使静电荷通过所述第四薄膜晶体管向所述第二电位线泄放。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述通过所述第一薄膜晶体管和所述第一分压单元的分压以及所述第一电容共同作用控制所述第三薄膜晶体管的栅极电位开启所述第三薄膜晶体管包括：

通过所述第一薄膜晶体管和所述第一分压单元的分压控制所述第三薄膜晶体管的栅极电位，开启所述第三薄膜晶体管，并通过所述第一电容的自举作用加快所述第三薄膜晶体管的开启。

10.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述通过所述第一薄膜晶体管和所述第一分压单元的分压以及所述第一电容共同作用控制所述第三薄膜晶体管的栅极电位开启所述第三薄膜晶体管，以使静电荷通过所述第三薄膜晶体管向所述第一电位线泄放包括：

当所述薄膜晶体管均为N型时，通过所述第一薄膜晶体管和所述第一分压单元的分压以及所述第一电容共同作用控制所述第三薄膜晶体管的栅极电位开启所述第三薄膜晶体管，以使正静电荷通过所述第三薄膜晶体管向所述第一电位线泄放；

当所述薄膜晶体管均为P型时，通过所述第一薄膜晶体管和所述第一分压单元的分压以及所述第一电容共同作用控制所述第三薄膜晶体管的栅极电位开启所述第三薄膜晶体管，以使负静电荷通过所述第三薄膜晶体管向所述第一电位线泄放。

11.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述通过所述信号控制线与所述辅助电位线的电位差的改变开启所述第四薄膜晶体管，以使静电荷通过所述第四薄膜晶体管向所述第二电位线泄放包括：

当所述薄膜晶体管均为N型时，通过所述信号控制线与所述辅助电位线的电位差的改变开启所述第四薄膜晶体管，以使负静电荷通过所述第四薄膜晶体管向所述第二电位线泄放；

当所述薄膜晶体管均为P型时，通过所述信号控制线与所述辅助电位线的电位差的改变开启所述第四薄膜晶体管，以使正静电荷通过所述第四薄膜晶体管向所述第二电位线泄放。