[发明专利]一种静电释放保护电路及其工作方法

说明书

技术领域

本发明涉及显示器技术领域，尤其涉及一种静电释放保护电路及其工作方法。

背景技术

ESD(Electro-Static Discharge，静电释放)保护电路是TFT LCD(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，薄膜晶体管液晶显示器)以及AMOLED(Active Matrix Driving Organic Light Emitting Diode，有源矩阵驱动有机发光二极管)面板上的重要组成部分，能够使显示器件免遭在生产、运输、工作过程中的静电伤害。

如图1所示，ESD保护电路中的TFT通常为增强型TFT，通过合理的TFT 1和TFT2设计，可以使液晶显示面板在正常工作时，数据线上仅有漏电流或有较小的电流流向高电位线GH或低电位线GL；当数据线DATA上积累静电电荷时，正、负两种静电电荷可以分别迅速向高电位线GH和低电位线GL泄放，从而保证显示面板的内部阵列不受损伤。

但是，对于当前正在兴起的Oxide(氧化物)TFT，由于Oxide TFT通常是一个耗尽型的器件，当其栅源电压Vgs＝0V时，Oxide TFT无法像现有技术中的增强型TFT那样彻底关断，导致在正常工作时，数据线和栅极扫描线将向高电位线GH和低电位线GL漏走大量电流，不仅使显示面板内部不能正常工作，还可能使外部驱动电路受到损坏。

发明内容

本发明的实施例提供了一种静电释放保护电路及其工作方法，能够迅速泄放静电电荷同时又能避免信号以漏电流形式泄放。

为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：

一种静电释放保护电路，包括第一电容、第一分压单元和薄膜晶体管：第一薄膜晶体管、第三薄膜晶体管、第四薄膜晶体管；所述第一薄膜晶体管的栅极接于信号控制线，漏极接于第一电位线；所述第一分压单元的第一端接于所述第一薄膜晶体管的源极，第二端接于第二电位线；所述第三薄膜晶体管的栅极接于所述第一薄膜晶体管的源极，漏极接于第一电位线，源极接于信号控制线；所述第四薄膜晶体管栅极接于辅助电位线，漏极接于信号控制线，源极接于第二电位线；所述第一电容的第一极接于所述第三薄膜晶体管的栅极，第二极接于信号控制线。

一种上述的静电释放保护电路的工作方法，包括：

所述信号控制线上无静电电荷时，通过所述第一薄膜晶体管和所述第一分压单元的分压作用控制所述第三薄膜晶体管的栅极电位关闭所述第三薄膜晶体管，和通过控制所述第二电位线和所述辅助电位线的电位差关闭所述第四薄膜晶体管，以保持所述信号控制线的信号不泄放；

所述信号控制线上有静电电荷时，通过所述第一薄膜晶体管和所述第一分压单元的分压以及所述第一电容共同作用控制所述第三薄膜晶体管的栅极电位开启所述第三薄膜晶体管，以使静电荷通过所述第三薄膜晶体管向所述第一电位线泄放；或通过所述信号控制线与所述辅助电位线的电位差的改变开启所述第四薄膜晶体管，以使静电荷通过所述第四薄膜晶体管向所述第二电位线泄放。

本发明实施例提供的静电释放保护电路及其工作方法，当信号控制线上有静电电荷时，通过第一薄膜晶体管和第一分压单元的分压以及第一电容共同作用控制第三薄膜晶体管的栅极电位，开启第三薄膜晶体管，从而使静电荷通过第三薄膜晶体管向第一电位线泄放；也可以通过信号控制线与辅助电位线的电位差的改变，开启第四薄膜晶体管，从而使静电荷通过第四薄膜晶体管向第二电位线泄放。当信号控制线上无静电电荷时，通过第一薄膜晶体管和第一分压单元的分压作用控制第三薄膜晶体管的栅极电位，关闭第三薄膜晶体管，并通过控制第二电位线和辅助电位线的电位差，关闭第四薄膜晶体管，这样信号控制线上的信号就不会以漏电流的形式通过第三薄膜晶体管或第四薄膜晶体管泄放，从而有效保证了显示面板的正常工作。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为现有技术中静电释放保护电路的一种结构示意图；

图2为本发明实施例提供的静电释放保护电路的一种结构示意图；

图3为本发明实施例提供的静电释放保护电路的一种具体结构示意图；

图4为图1与图3所示的静电释放保护电路的一种静电释放保护对比仿真图；