[发明专利]利用激光掺杂加刻蚀制备选择性发射结太阳电池的方法

摘要

一种利用激光掺杂加刻蚀制备选择性发射结太阳电池的方法，步骤如下：1.用硝酸、氢氟酸和水制成混合化学腐蚀溶液对硅片制绒；2.将硅片置于管式扩散炉中，用三氯氧磷POCl3液态源对硅片进行扩散；3.用波长为532nm的激光辐照对硅片烧蚀，形成初步的选择性发射结；4.将氢氟酸和硝酸按照1∶4配成刻蚀溶液，对硅片的发射结刻蚀；5，用硝酸、氢氟酸和水制成混合化学腐蚀溶液对硅片刻边；6.在温度为400～500℃的等离子增强化学气相淀积系统中，对硅片进行镀氮化硅减反射膜处理；7，采用丝网印刷工艺在硅片的正面形成栅线电极，在硅片的背面形成铝背场；8.将硅片置于温度为25～900℃的快速烧结炉中对进行烧结及金属化处理，至此本发明太阳电池制备完成。

主权项

一种利用激光掺杂加刻蚀制备选择性发射结太阳电池的方法，其特征在于，所述的制备方法的步骤如下：步骤1，用硝酸、氢氟酸和水制成混合化学腐蚀溶液，其中硝酸的质量浓度为30％，氢氟酸的质量浓度为8％；使用所述的混合化学腐蚀溶液对P型多晶硅片制绒，并去除所述的多晶硅片表面损伤层；步骤2，将步骤1制得的硅片置于温度为820‑828℃的管式扩散炉中，用三氯氧磷POCl3液态源对所述硅片进行扩散，形成N型深发射结N++，同时在硅片表面形成磷硅玻璃薄层；步骤3，用波长为532nm的激光辐照对步骤2制得的硅片进行烧蚀，在所述硅片的辐射区实现磷的重掺杂而形成N型超级深发射结N+++，也即形成初步的选择性发射结；步骤4，将质量浓度为1％的氢氟酸HF和质量浓度为65％的硝酸HNO3按照1∶4的体积比配成刻蚀溶液，对步骤3制得的硅片的发射结进行刻蚀，同时去除硅片表面的磷硅玻璃；步骤5，用硝酸、氢氟酸和水制成混合化学腐蚀溶液，其中硝酸的质量浓度为30％，氢氟酸的质量浓度为8％。用此化学腐蚀液进行刻边；步骤6，在温度为400℃～500℃的等离子增强化学气相淀积PECVD系统中，对所述的硅片进行镀氮化硅减反射膜处理，处理时间为700秒～800秒；步骤7，采用丝网印刷工艺，在所述的硅片正面形成栅线电极，在所述的硅片背面形成铝背场；步骤8，在温度为25～900℃的快速烧结炉中对所述的硅片进行烧结及金属化处理，时间为2分钟；至此完成本发明太阳电池制备。