[发明专利]利用激光掺杂加刻蚀制备选择性发射结太阳电池的方法

权利要求书

1.一种利用激光掺杂加刻蚀制备选择性发射结太阳电池的方法，其特征在于，所述的制备方法的步骤如下：

步骤1，用硝酸、氢氟酸和水制成混合化学腐蚀溶液，其中硝酸的质量浓度为30％，氢氟酸的质量浓度为8％；使用所述的混合化学腐蚀溶液对P型多晶硅片制绒，并去除所述的多晶硅片表面损伤层；

步骤2，将步骤1制得的硅片置于温度为820-828℃的管式扩散炉中，用三氯氧磷POCl₃液态源对所述硅片进行扩散，形成N型深发射结N⁺⁺，同时在硅片表面形成磷硅玻璃薄层；

步骤3，用波长为532nm的激光辐照对步骤2制得的硅片进行烧蚀，在所述硅片的辐射区实现磷的重掺杂而形成N型超级深发射结N⁺⁺⁺，也即形成初步的选择性发射结；

步骤4，将质量浓度为1％的氢氟酸HF和质量浓度为65％的硝酸HNO₃按照1∶4的体积比配成刻蚀溶液，对步骤3制得的硅片的发射结进行刻蚀，同时去除硅片表面的磷硅玻璃；

步骤5，用硝酸、氢氟酸和水制成混合化学腐蚀溶液，其中硝酸的质量浓度为30％，氢氟酸的质量浓度为8％。用此化学腐蚀液进行刻边；

步骤6，在温度为400℃～500℃的等离子增强化学气相淀积PECVD系统中，对所述的硅片进行镀氮化硅减反射膜处理，处理时间为700秒～800秒；

步骤7，采用丝网印刷工艺，在所述的硅片正面形成栅线电极，在所述的硅片背面形成铝背场；

步骤8，在温度为25～900℃的快速烧结炉中对所述的硅片进行烧结及金属化处理，时间为2分钟；

至此完成本发明太阳电池制备。

2.根据权利要求1所述的利用激光掺杂加刻蚀制备选择性发射结太阳电池的方法，其特征在于，所述的步骤8中，对所述的硅片进行烧结及金属化处理的优选温度为大于720℃至860℃，持续时间为4秒。

3.根据权利要求1所述的利用激光掺杂加刻蚀制备选择性发射结太阳电池的方法，其特征在于，所述的制备方法的步骤1中，用质量浓度为5％的氢氧化钾溶液对P型单晶硅片制绒，同时去除硅片表面损伤层。

4.根据权利要求1所述的利用激光掺杂加刻蚀制备选择性发射结太阳电池的方法，其特征在于，在所述的步骤4的腐蚀过程中遮光。

5.根据权利要求1所述的利用激光掺杂加刻蚀制备选择性发射结太阳电池的方法，其特征在于，所述的步骤4和所述的步骤5的顺序互换。