[发明专利]薄膜晶体管阵列基板、其制造方法、及液晶显示装置有效

专利信息
申请号: 201210007092.7 申请日: 2010-01-22
公开(公告)号: CN102540605A 公开(公告)日: 2012-07-04
发明(设计)人: 永野慎吾;升谷雄一 申请(专利权)人: 三菱电机株式会社
主分类号: G02F1/1362 分类号: G02F1/1362;G02F1/1368;H01L27/12;H01L21/77
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 毛立群;朱海煜
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供一种在FFS模式的液晶显示装置中,不使用半透过掩模而能够削减光刻工序数的薄膜晶体管阵列基板、其制造方法、及液晶显示装置。本发明的薄膜晶体管阵列基板具备:源极布线(44),在覆盖栅极布线(43)的栅极绝缘膜(11)上形成;半导体层(2),在栅极绝缘膜(11)上形成,配置在漏极电极(5)下的大致整个面、源极电极(4)下的大致整个面、源极布线(44)下的大致整个面、栅极电极的对面;像素电极(6),在漏极电极(5)上直接重叠形成;透明导电图案(6a),在源极电极(4)和源极布线(44)上,通过与像素电极(6)相同的层直接重叠形成;对置电极(8),在覆盖像素电极(6)和透明导电图案(6a)的层间绝缘膜(12)上形成,在与像素电极(6)之间使边缘电场产生。
搜索关键词: 薄膜晶体管 阵列 制造 方法 液晶 显示装置
【主权项】:
一种薄膜晶体管阵列基板,具有薄膜晶体管,其中,具有:栅极布线,在基板上形成,与所述薄膜晶体管的栅极电极连接;栅极绝缘膜,覆盖所述栅极电极和所述栅极布线;源极布线,在所述栅极绝缘膜上形成,与所述薄膜晶体管的源极电极连接;半导体层,在所述栅极绝缘膜上形成,在所述薄膜晶体管的漏极电极下的整个面、所述源极电极下的整个面、所述源极布线下的整个面、以及所述栅极电极的对面配置;像素电极,在所述漏极电极上直接重叠形成,与所述漏极电极电连接;透明导电图案,在所述源极电极和所述源极布线上,通过与所述像素电极相同的层而直接重叠形成;层间绝缘膜,覆盖所述像素电极和所述透明导电图案;以及对置电极,在所述层间绝缘膜上形成,在与所述像素电极之间使边缘电场产生,所述像素电极和所述透明导电图案在与所述栅极电极对置的位置中,以在俯视中配置于所述半导体层的图案内侧的方式形成。
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