[发明专利]薄膜晶体管阵列基板、其制造方法、及液晶显示装置

说明书

本申请是下述申请的分案申请：

发明名称：薄膜晶体管阵列基板、其制造方法、及液晶显示装置

申请日：2010年1月22日

申请号：2010101092638

技术领域

本发明涉及薄膜晶体管阵列基板、其制造方法、及液晶显示装置，特别具体涉及在边缘场切换(Fringe Field Switching)模式(mode)的液晶显示装置中使用的薄膜晶体管阵列基板、其制造方法、及液晶显示装置。

背景技术

边缘场切换(Fringe Field Switching：FFS)模式的液晶显示装置，是对在相向的基板间夹持的液晶施加边缘电场而进行显示的显示方式。在FFS模式的液晶显示装置中，由于通过透明导电膜形成有像素电极和对置电极，所以与共面切换(In-Plane Switching：IPS)模式相比能够得到更高的开口率和透过率。

在现有的FFS模式的液晶显示装置中，为了制造薄膜晶体管(Thin Film Transistor：TFT)阵列基板，需要：(1)对置电极，(2)栅极(gate)电极，(3)半导体层，(4)源极(source)/漏极(drain)电极，(5)接触孔(contact hole)，(6)像素电极的至少6次的照相制版(光刻(photolithography))工序。因此，与通常能够以5次的光刻工序制造TFT阵列基板的TN(Twisted Nematic，扭曲向列)模式相比，存在制造成本(cost)变高的问题。

针对这样的问题，例如在专利文献1中，提出了一种使用半透过掩模(mask)来削减光刻工序数的方案。

专利文献

专利文献1：日本专利申请特开2001-235763号公报

本发明要解决的课题

可是，在使用半透过掩模的光刻工序中，与通常的光刻工序相比工序管理复杂，对于稳定地大量生产存在问题。此外，半透过掩模与通常的掩模相比价格高，在费用面上也存在问题。

发明内容

本发明正是为了解决上述那样的问题点而完成的，其目的在于提供一种在FFS模式的液晶显示装置中，不使用半透过掩模而能够削减光刻工序数的薄膜晶体管阵列基板、其制造方法、及液晶显示装置。

用于解决课题的方法

本发明的薄膜晶体管阵列基板，具有薄膜晶体管，其中，具备：栅极布线，在基板上形成，与所述薄膜晶体管的栅极电极连接；栅极绝缘膜，覆盖所述栅极电极和所述栅极布线；源极布线，在所述栅极绝缘膜上形成，与所述薄膜晶体管的源极电极连接；半导体层，在所述栅极绝缘膜上形成，在所述薄膜晶体管的漏极电极下的大致整个面、所述源极电极下的大致整个面、所述源极布线下的大致整个面、以及所述栅极电极的对面配置；像素电极，在所述漏极电极上直接重叠形成，与所述漏极电极电连接；透明导电图案(pattern)，在所述源极电极和所述源极布线上，通过与所述像素电极相同的层而直接重叠形成；层间绝缘膜，覆盖所述像素电极和所述透明导电图案；以及对置电极，在所述层间绝缘膜上形成，在与所述像素电极之间使边缘电场产生。

此外，本发明的薄膜晶体管阵列基板的制造方法，是具有薄膜晶体管的薄膜晶体管阵列基板的制造方法，其中，具备：在基板上形成所述薄膜晶体管的栅极电极、和连接于所述栅极电极的栅极布线的工序；形成覆盖所述栅极电极和所述栅极布线的栅极绝缘膜的工序；在所述栅极绝缘膜上，依次成膜半导体层、欧姆接触(ohmic contact)膜、金属膜的工序；对所述金属膜进行构图，形成：在成为所述薄膜晶体管的沟道(channel)区域的所述半导体层上连结的状态的所述薄膜晶体管的源极电极和漏极电极、和连接于所述源极电极的源极布线的工序；将被构图的所述金属膜作为掩模，对所述半导体层和所述欧姆接触膜进行蚀刻(etching)的工序；对在所述金属膜上直接重叠的透明导电膜进行成膜，对所述透明导电膜进行构图，形成：在所述漏极电极上直接重叠的像素电极、和在所述源极电极和所述源极布线上直接重叠配置的透明导电图案的工序；将所述像素电极和所述透明导电图案作为掩模，对所述金属膜和所述欧姆接触膜进行蚀刻，使成为所述薄膜晶体管的沟道区域的所述半导体层露出的工序；形成覆盖所述像素电极和所述透明导电图案的层间绝缘膜的工序；以及在所述层间绝缘膜上，形成在与所述像素电极之间使边缘电场产生的对置电极的工序。

发明的效果