[发明专利]薄膜晶体管阵列基板、其制造方法、及液晶显示装置

权利要求书

1.一种薄膜晶体管阵列基板，具有薄膜晶体管，其中，具有：

栅极布线，在基板上形成，与所述薄膜晶体管的栅极电极连接；

栅极绝缘膜，覆盖所述栅极电极和所述栅极布线；

源极布线，在所述栅极绝缘膜上形成，与所述薄膜晶体管的源极电极连接；

半导体层，在所述栅极绝缘膜上形成，在所述薄膜晶体管的漏极电极下的整个面、所述源极电极下的整个面、所述源极布线下的整个面、以及所述栅极电极的对面配置；

像素电极，在所述漏极电极上直接重叠形成，与所述漏极电极电连接；

透明导电图案，在所述源极电极和所述源极布线上，通过与所述像素电极相同的层而直接重叠形成；

层间绝缘膜，覆盖所述像素电极和所述透明导电图案；以及

对置电极，在所述层间绝缘膜上形成，在与所述像素电极之间使边缘电场产生，

所述像素电极和所述透明导电图案在与所述栅极电极对置的位置中，以在俯视中配置于所述半导体层的图案内侧的方式形成。

2.一种薄膜晶体管阵列基板，具有薄膜晶体管，其中，具有：

栅极布线，在基板上形成，与所述薄膜晶体管的栅极电极连接；

栅极绝缘膜，覆盖所述栅极电极和所述栅极布线；

源极布线，在所述栅极绝缘膜上形成，与所述薄膜晶体管的源极电极连接；

半导体层，在所述栅极绝缘膜上形成，在所述薄膜晶体管的漏极电极下的整个面、所述源极电极下的整个面、所述源极布线下的整个面、以及所述栅极电极的对面配置；

像素电极，在所述漏极电极上直接重叠形成，与所述漏极电极电连接；

透明导电图案，在所述源极电极和所述源极布线上，通过与所述像素电极相同的层而直接重叠形成；

层间绝缘膜，覆盖所述像素电极和所述透明导电图案；

对置电极，在所述层间绝缘膜上形成，在与所述像素电极之间使边缘电场产生；以及

共同布线，在与所述栅极布线相同的层形成，

所述对置电极经由贯通所述栅极绝缘膜和所述层间绝缘膜的接触孔而与所述共同布线电连接。

3.根据权利要求1或2所述的薄膜晶体管阵列基板，其中，所述对置电极以与所述源极布线和所述源极布线上的所述透明导电图案在固定的区域中重合的方式形成，与夹着所述源极布线而邻接的像素的所述对置电极连接。

4.根据权利要求3所述的薄膜晶体管阵列基板，其中，与所述源极布线和所述源极布线上的所述透明导电图案重合的区域的所述对置电极，以与所述源极布线和所述源极布线上的所述透明导电图案的宽度相比宽度宽的方式形成。

5.根据权利要求3所述的薄膜晶体管阵列基板，其中，所述对置电极在不与所述栅极布线和所述源极布线的交叉部以及所述薄膜晶体管重复的区域中形成。

6.根据权利要求1或2所述的薄膜晶体管阵列基板，其中，所述对置电极以与夹着所述栅极布线而邻接的像素的所述对置电极连接的方式形成。

7.根据权利要求1或2所述的薄膜晶体管阵列基板，其中，还具有：欧姆接触膜，在所述源极电极和所述半导体层之间、所述漏极电极和所述半导体层之间、以及所述源极布线和所述半导体层之间形成，

所述半导体层隔着所述欧姆接触膜与所述源极电极和所述漏极电极电连接。

8.一种液晶显示装置，其中，具有：权利要求1或2所述的薄膜晶体管阵列基板。