[发明专利]一种InP反型n沟道场效应管及其制备方法有效
| 申请号： | 201210005872.8 | 申请日： | 2012-01-10 |
| 公开（公告）号： | CN102544103A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 王晨;卢红亮;孙清清;周鹏;丁士进;张卫 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L21/28;H01L21/283 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人： | 陆飞;盛志范 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属于微电子技术领域，具体涉及一种InP反型n沟道场效应管及其制备方法。该nMOSFET主要由表面晶格方向为（111）A的InP半导体衬底、高介电常数栅介质和金属栅源漏电极组成。本发明中的nMOSFET结构，表现出优异的电流特性。同时，在连续直流电压的扫描激励下，该器件的饱和电流性能稳定可靠，其电流漂移值几乎为零。这种nMOSFE结构解决了长久以来InPMOSFET器件上的电流漂移问题。本发明还进一步提供了上述nMOSFET结构的集成制备方法。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 inp 沟道 场效应 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种InP反型n沟道场效应晶体管，其特征在于采用（111）A晶向的InP作为半导体衬底，金属Ni/Ge/Au的混合物薄膜作为栅漏源电极，采用高介电常数的Al2O3薄膜作为栅介质材料。
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