[发明专利]一种InP反型n沟道场效应管及其制备方法

权利要求书

1.一种InP反型n沟道场效应晶体管，其特征在于采用（111）A晶向的InP作为半导体衬底，金属Ni/Ge/Au的混合物薄膜作为栅漏源电极，采用高介电常数的Al₂O₃薄膜作为栅介质材料。

2.根据权利要求1所述的InP反型n沟道场效应晶体管的制备方法，其特征在于具体步骤为：    

(1)  首先用稀释的HCl溶液InP（111）A圆片5~10 min，以去除表面的本征氧化物；

(2)  温度为150~300 °C时，使用三甲基铝和水的交替的脉冲前驱物组合，在InP（111）A衬底上淀积一层厚度为20~50 nm的Al₂O₃作为表面覆盖层；

(3)  透过Al₂O₃覆盖层， 使用Si离子选择性注入形成源、漏区域；

(4)  在700~800 °C的氮气中经过15~30 s快速热退火处理，激活源、漏区注入的离子；

(5)  用缓冲氧化层刻蚀方法去除覆盖层Al₂O₃； 

(6)  在硫化氨溶液里浸泡5~10分钟，形成一层表面含S的钝化层；

(7)  在温度为150~300 °C条件下，使用三甲基铝和水的交替的脉冲前驱物组合，再用ALD生长厚度为3~10 nm的Al₂O₃栅介质层；

(8)  将上步制得的样品在500~900 °C氮气腔里进行退火30~120 s； 

(9)  电子束沉积Ni/Ge/Au的混合物作为源、漏区域的金属接触；

(10)  再在温度为300~400 °C的条件下使用氮气快速热退火30~60 s ； 

用电子束沉积Ti/Au并且Liftoff工艺之后形成栅极金属，制成InP 反型n沟道场效应晶体管。