[发明专利]发光二极管装置有效
| 申请号： | 201210004095.5 | 申请日： | 2012-01-06 |
| 公开（公告）号： | CN103199163A | 公开（公告）日： | 2013-07-10 |
| 发明（设计）人： | 谢炎璋 | 申请（专利权）人： | 华夏光股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/04 | 分类号： | H01L33/04;H01L33/36;H01L27/15 |
| 代理公司： | 北京泛诚知识产权代理有限公司 11298 | 代理人： | 陈波;文琦 |
| 地址： | 孟帕里斯&卡尔德,P.O.Box.30*** | 国省代码： | 开曼群岛;KY |
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| 摘要： | 一种发光二极管，包含至少一个发光二极管单元。每一个发光二极管单元包含至少一个发光二极管，其包含第一掺杂层、第二掺杂层及导电缺陷层。其中，导电缺陷层形成于第一或第二掺杂层上。导电缺陷层可位于两个迭加发光二极管之间，或者位于第一/第二掺杂层与电极之间。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 装置 | ||
【主权项】：
一种发光二极管装置，包含：至少一个发光二极管单元，该发光二极管单元包含：一第一发光二极管及一第二发光二极管；及一导电缺陷层，位于所述第一发光二极管与所述第二发光二极管之间，作为穿隧接面，藉以将所述第一发光二极管与所述第二发光二极管迭加在一起。
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