[发明专利]发光二极管装置

权利要求书

1.一种发光二极管装置，包含：

至少一个发光二极管单元，该发光二极管单元包含：

一第一发光二极管及一第二发光二极管；及

一导电缺陷层，位于所述第一发光二极管与所述第二发光二极管之间，作为穿隧接面，藉以将所述第一发光二极管与所述第二发光二极管迭加在一起。

2.如权利要求1所述的发光二极管装置，其中所述第一发光二极管或所述第二发光二极管为三族氮化物发光二极管，所述第一发光二极管或所述第二发光二极管包含：

一第一掺杂层；

一第二掺杂层，该第二掺杂层的极性相反于所述第一掺杂层的极性；

一主动层，位于所述第一掺杂层与所述第二掺杂层之间；

其中所述第一发光二极管的第二掺杂层藉由所述导电缺陷层而与所述第二发光二极管的第一掺杂层迭加在一起。

3.如权利要求1所述的发光二极管装置，所述导电缺陷层将缺陷密度提升至其成长面缺陷密度的5倍以上，所述导电缺陷层的厚度小于或等于100纳米。

4.如权利要求1所述的发光二极管装置，其中所述导电缺陷层包含氮化硅、金属、碳化硅或硅。

5.如权利要求1所述的发光二极管装置，其中所述导电缺陷层与所述第二发光二极管之间还包含一缓冲层，该缓冲层邻接所述导电缺陷层，且将缺陷密度降低至其成长面缺陷密度的5分之1以下，该缓冲层的厚度大于或等于10纳米。

6.如权利要求1所述的发光二极管装置，其中所述导电缺陷层以磊晶或布值技术所形成。

7.如权利要求1所述的发光二极管装置，其中所述至少一个发光二极管单元包含多个发光二极管单元，以数组型式排列，且每一个发光二极管单元包含一第一电极及一第二电极，其中，相邻发光二极管单元的第一电极及第二电极电性连结，因而形成一串联序列。

8.一种发光二极管装置，包含：

至少一个发光二极管单元，该发光二极管单元包含：

一第一掺杂层；

一第二掺杂层，该第二掺杂层的极性相反于所述第一掺杂层的极性；

一导电缺陷层，形成于所述第一掺杂层或所述第二掺杂层上；及

至少一个电极，位于所述导电缺陷层上，藉此，形成欧姆接触于所述电极与所述第一/第二掺杂层之间。

9.如权利要求8所述的发光二极管装置，还包含一主动层，位于所述第一掺杂层与所述第二掺杂层之间，所述发光二极管单元为三族氮化物发光二极管。

10.如权利要求8所述的发光二极管装置，所述导电缺陷层将缺陷密度提升至其成长面缺陷密度的5倍以上，该导电缺陷层的厚度小于或等于100纳米。

11.如权利要求8所述的发光二极管装置，其中所述导电缺陷层包含氮化硅、金属、碳化硅或硅。

12.如权利要求8所述的发光二极管装置，其中所述导电缺陷层与所述第二发光二极管之间还包含一缓冲层，该缓冲层邻接所述导电缺陷层，且将缺陷密度降低至其成长面缺陷密度的5分之1以下，该缓冲层的厚度大于或等于10纳米(nm)。

13.如权利要求8所述的发光二极管装置，其中所述导电缺陷层以磊晶或布值技术所形成。

14.如权利要求8所述的发光二极管装置，其中所述至少一个发光二极管单元包含多个发光二极管单元，以数组型式排列，且每一个发光二极管单元包含一第一电极及一第二电极，其中，相邻发光二极管单元的第一电极及第二电极电性连结，因而形成一串联序列。