[发明专利]一种倒装焊工艺封装的塑封器件镶嵌开封方法无效
申请号: | 201210001883.9 | 申请日: | 2012-01-05 |
公开(公告)号: | CN102522319A | 公开(公告)日: | 2012-06-27 |
发明(设计)人: | 王坦;周霞;贺峤 | 申请(专利权)人: | 航天科工防御技术研究试验中心 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H01L21/02 |
代理公司: | 中国航天科工集团公司专利中心 11024 | 代理人: | 岳洁菱 |
地址: | 100854 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种倒装焊工艺封装的塑封器件镶嵌开封方法,首先采用镶嵌制样设备对样品沿纵向进行制备。然后采用自动/手动研磨系统磨掉样品内部芯片键合焊板,暴露出芯片键合凸点。最后采用酸蚀刻法对样品正面或背面,即芯片电路所在面进行开封。开口大小小于等于芯片大小,深度以暴露出芯片表面为准。酸开封后立即将样品清洗干净,在空气中风干,即可投入检验使用。本方法采用机械方法和酸蚀刻法相结合的方式对倒装焊形式或CSP形式的封装的半导体器件进行开封,开封后可完整的保留样品内部键合等结构,保证样品在开封后还能保持其电性能,完全满足破坏性物理分析与失效分析等后续检验对样品完好性的要求。 | ||
搜索关键词: | 一种 倒装 焊工 封装 塑封 器件 镶嵌 开封 方法 | ||
【主权项】:
一种倒装焊工艺封装的塑封器件镶嵌开封方法,其特征在于本方法的具体步骤为:第一步 搭建开封装置开封装置,包括:镶嵌制样设备、研磨系统、酸蚀刻开封机、超声波清洗机;其中镶嵌制样设备为金属材料金相试验通用的设备,研磨系统采用自动或手动均可;样品置于镶嵌制样设备的镶嵌槽内,镶嵌固化的样品置于研磨系统的研磨台面上,研磨后的样品置于酸蚀刻开封机内,开封完成的样品放置于超声波清洗机的清洗槽内;第二步 镶嵌制样设备制备样品采用镶嵌制样设备对样品沿纵向进行制备,将样品放置在镶嵌制样设备的镶嵌槽内,开封面向下放置,并将样品固定在镶嵌槽底部以防止在镶嵌过程中样品漂浮和翻转;浇注镶嵌粉末或浇注镶嵌液时应尽量缓慢,不得冲跑器件;浇注完成后放置在通风处等待固化;第三步 研磨系统打磨样品将固化完成的样品置于研磨系统的研磨台面上,利用研磨系统的磨盘打磨掉样品内部芯片键合焊板,暴露出芯片键合凸点;采用研磨系统打磨时应使用粒度800或1000的砂纸,以免磨削速度过快难以控制,暴露出芯片键合凸点即可;第四步 酸蚀刻开封机腐蚀样品采用酸蚀刻法对样品正面或背面,即芯片电路所在面进行开封;开口大小小于等于芯片大小,深度以暴露出芯片表面为准;使用蚀刻酸进行腐蚀时应选用85℃发烟硝酸,腐蚀时间以暴露出芯片表面为准,一般不超过15秒;酸蚀刻法采用酸蚀刻开封机进行开封或人工手动进行开封;第五步 超声波清洗机清洗样品开封后立即将样品清洗干净,采用丙酮清洗1‑2次,每次清洗时间1‑2分钟;再用异丙醇清洗1‑2分钟,而后用去离子水清洗1‑2分钟,最后在空气中风干;至此完成倒装焊工艺封装的塑封器件的镶嵌开封。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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