[发明专利]具有非分立的源极区和漏极区的纳米线结构

摘要

描述了具有非分立的源极区和漏极区的纳米线结构。例如，半导体器件包括布置在衬底之上的多条垂直堆叠的纳米线。每条纳米线包括布置在纳米线中的分立的沟道区。栅极电极叠置体包围多条垂直堆叠的纳米线。一对非分立的源极区和漏极区布置在多条垂直堆叠的纳米线的分立的沟道区的任一侧上并与多条垂直堆叠的纳米线的分立的沟道区相邻。

主权项

1.一种半导体器件，包括：多条垂直堆叠的纳米线，所述多条垂直堆叠的纳米线布置在衬底上方，所述纳米线中的每条纳米线包括布置在所述纳米线中的分立的沟道区；栅极电极叠置体，所述栅极电极叠置体包围所述多条垂直堆叠的纳米线；一对非分立的源极区和漏极区，所述一对非分立的源极区和漏极区分别布置在所述多条垂直堆叠的纳米线中的所述分立的沟道区的两侧上并与所述多条垂直堆叠的纳米线中的所述分立的沟道区相邻，其中，所述一对非分立的源极区和漏极区是包括与所述分立的沟道区相同的第一半导体材料和不同的第二半导体材料的一对半导体区，所述非分立的源极区和漏极区中的每个区均具有最上表面和一对侧壁表面，其中在所述一对非分立的源极区和漏极区中通过激光退火引入了增加的应变，并且所述一对非分立的源极区和漏极区被配置为具有“之”字型非分立源极和漏极界面；以及一对接触部，所述一对接触部中的每个接触部布置在所述一对非分立的源极区和漏极区中的对应的一个的所述最上表面和所述一对侧壁表面上。