[发明专利]Ⅲ族‑N纳米线晶体管有效
| 申请号： | 201180075624.4 | 申请日： | 2011-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN104011868B | 公开（公告）日： | 2017-02-15 |
| 发明（设计）人： | H·W·田;R·周;B·舒-金;G·杜威;J·卡瓦列罗斯;M·V·梅茨;N·慕克吉;R·皮拉里塞泰;M·拉多萨夫列维奇 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司72002 | 代理人： | 韩宏,陈松涛 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | Ⅲ族‑N纳米线设置于衬底上。纵向长度的纳米线被限定在第一Ⅲ族‑N材料的沟道区中，源极区与沟道区的第一端电耦合，并且漏极区与沟道区的第二端电耦合。在第一Ⅲ族‑N材料上的第二Ⅲ族‑N材料用作纳米线表面上的电荷诱导层，和/或势垒层。栅极绝缘体和/或栅极导体在沟道区内完全同轴地环绕纳米线。漏极触点和源极触点可以类似地完全同轴地环绕漏极区和源极区。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 晶体管 | ||
【主权项】：
一种Ⅲ族‑N晶体管，包括：设置于衬底上的纳米线，其中纵向长度的所述纳米线还包括：第一Ⅲ族‑N材料的沟道区；与所述沟道区的第一端电耦合的源极区；以及与所述沟道区的第二端电耦合的漏极区，栅极叠置体，其包括完全地同轴环绕所述沟道区的栅极绝缘体和栅极导体，以及第二Ⅲ族‑N材料，其沿着所述沟道区的至少一部分而设置在所述第一Ⅲ族‑N材料与所述栅极叠置体之间。
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